绝缘栅双极型晶体管(IGBT) (二).PDFVIP

知识讲座 doi:10.3969/j.issn.1563-4795.2011.11.017 【编者按】 电力电子器件是半导体功率器件的总称， 是构成电力电子设备的基础， 是从事电力电子 器件设计、 研发、 生产、 营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。 本刊从今年 月份 4 开始以 “ 电力电子器件知识” 为题开展讲座， 以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。 欢迎厂家及用户的工程师们撰稿， 并望提出宝贵意见。 电力 电子器件知识讲座 ( 八) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) (二) 乔恩明 薛玉均 刘 敏 （供稿） 本刊编辑部 张乃国 改编 ( ) 上接第 期第 页 ( 10 56 ) 3.5 IGBT的结电容特性 在IGBT 芯片中， 各个不同电极之间都有一定 的寄生电容存在， 的等效结电容如图 所示。 IGBT 13 其中， Cies 是指栅极与发射极之间的输入电容； Coes 是指集电极与发射极之间的输出电容； Cres 是指集 电极与栅极之间的反向传输电容。 这些电容的大 小对驱动电路和缓冲电路的设计都非常重要。 图 14所示为某型号IGBT 结电容的特性曲线。 由图中 可以看出， 随着驱动电阻的增加， IGBT 的等效寄 生电容有减小的趋势。 图14 IGBT结电容示意图 (U =0V ， f =1MHz ， T =25℃) GE j 要一定的时间， 在这段时间内， 电流电压将会有 一段重叠时间， 因而会产生一定的损耗。 IGBT 开 通过程中， 承受的电压 与集电极电流 存 IGBT UCE IC 在重叠时间。 在重叠时间中， IGBT承受的电压UCE 与集电极电流 乘积的积分为 每开通一次所损 IC IGBT 图13 IGBT结电容特性 耗的能量。 开通损耗随电流增加而增加， 如图15 3.6 IGBT的损耗特性 所示。 IGBT在开关过程并不是瞬间完成的， 而是需 在关断过程中承受的电压 与集电极电