Tips-Pentacene OTFT电极接触电阻的研究.pdfVIP

第 28卷 第 2期 液 晶 与 显 示 Vo1．28，NO．2 2013年 4月 ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplays Apr．，2013 文章编号 ：1007—2780(2013)02—0210—05 Tips—PentaceneOTFT电极接触电阻的研究 刘 欢，余 屯，邱 禹，钟传杰 (江南大学 电子工程系 轻工过程先进控制教育部重点实验室 ，江苏 无锡 214122) 摘 要：采用转移线性法分析了以PVP为栅绝缘层、以Tips—pentacene为有源层的有机薄膜晶体管 (OTFT) 电极与有源层 间的接触 电阻，其中介电层和有源层均采用旋涂法制备 ，银 电极采用喷墨印刷法制备。沟道长 度分别取 200，250，300 In和 400 m，有源层退火时间分别为 2h，6h和 10h，提取到的3种不同退火时间的 OTFT 的接触 电阻分别为 8MQ，4．5Mr1和 3Mn，退火 10h的OTFT的接触电阻较小主要是因为较长时间 的退火使得 Tips—pentacene有源层中的杂质较少 ，电极和有源层之 间的接触势垒较小 。 关 键 词：转移线性法；有机薄膜晶体管；接触 电阻；喷墨打印 中图分类号 ：TN321．5 文献标识码 ：A DOI：10．3788／YJYXS2O1328O2．O2lO ContactResistanceofElectrodesinTips—PentaceneOTFTs IIU Huan，YU Tun，QIU Yu，ZHoNG Chuan—jie (KeyLaboratoryofAdvancedProcessControlforLightIndustry (MinistryofEducation) DepartmentofElectronicEngineering，JiangnanUniversity，Wuxi 214122，China) Abstract：Thispaperanalyzedthecontactresistancebetween inkjet—printedsilversource／ drain (S／D)electrodesandorganicsemiconductorlayerofOrganicThin—film Transistors (OTFTs)usingtransmissionlinemethod(TLM )．Spin—coatedPVP thin—film andTips—pen— tacenethin—film wereusedasgatedielectriclayerandsemiconductorlayer，respectively．S／D electrodeswithfourdifferentchannellengthsof200，250，300p．m and400 “m wereinkjet— printed．andtheannealedtimeofdifferentsemiconductorlayerswas2h，6hand10h，respee— tive1v．Theextracted contactresistanceswere8M fZ，4．5M Q and3M flforOTFTswith threedifferentkindsofannealed time。respectively． IowercontactresistanceforOTFTs with annealedtimeof10h can beexplainedbythefactthatlongtimeannealingcan reduce theimpurityinthesemiconductorlayerandlowerthecontactbarrierbetweenelectrodesand semiconductorlayer． Key wor