非晶硅锗薄膜太阳电池的模拟研究 - 重庆理工大学学报.PDFVIP

第２９卷　第６期 重 庆 理 工 大 学 学报（自然科学） ２０１５年６月 Ｖｏｌ．２９　　Ｎｏ．６ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ） Ｊｕｎ．２０１５  ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７４－８４２５（ｚ）．２０１５．０６．０１２ 非晶硅锗薄膜太阳电池的模拟研究 １ａ ２ １ｂ １ｂ １ｂ １ｂ 张研研 ，陈　祺 ，李凯丰 ，周德江 ，王忠鑫 ，史力斌 （１．渤海大学　ａ．新能源学院；ｂ．数理学院，辽宁锦州　１２１０１３； ２．太和区职业技能教育中心，辽宁锦州　１２１０００） 摘　　　要：利用ＡＭＰＳ程序模拟研究了非晶硅锗薄膜太阳电池的窗口层材料和厚度以及背接 触势垒对电池光伏性能的影响。模拟发现带隙为１．９２ｅＶ的非晶硅碳更适合作为太阳电池的 窗口层，且窗口层越薄电池的性能越好。模拟还发现，背接触势垒越低，则电池的光伏性能越 好，当背接触势垒在０．１１～０．５１ｅＶ的范围内时电池的转换效率不会受到背接触势垒的影响。 关　键　词：太阳电池；窗口层；背接触势垒；模拟 中图分类号：ＴＫ５１１．４　　　　文献标识码：Ａ 文章编号：１６７４－８４２５（２０１５）０６－００５９－０５ ＳｉｍｕｌａｔｉｏｎＲｅｓｅａｒｃｈｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎＧｅｒｍａｎｉｕｍ ＴｈｉｎＦｉｌｍＳｏｌａｒＣｅｌｌ １ａ ２ １ｂ １ｂ ＺＨＡＮＧＹａｎｙａｎ，ＣＨＥＮＱｉ，ＬＩＫａｉｆｅｎｇ，ＺＨＯＵＤｅｊｉａｎｇ， １ｂ １ｂ ＷＡＮＧＺｈｏｎｇｘｉｎ，ＳＨＩＬｉｂｉｎ （１．ａ．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＮｅｗＥｎｅｒｇｙ；ｂ．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓａｎｄＰｈｙｓｉｃｓ， ＢｏｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｊｉｎｚｈｏｕ１２１０１３，Ｃｈｉｎａ；２．ＥｄｕｃａｔｉｏｎＣｅｎｔｅｒｏｆ ＶｏｃａｔｉｏｎａｌＳｋｉｌｌｏｆＴａｉｈｅＤｉｓｔｒｉｃｔ，Ｊｉｎｚｈｏｕ１２１０００，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｍａｔｅｒｉａｌａｎｄｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆｗｉｎｄｏｗｌａｙｅｒａｓｗｅｌｌａｓｂａｃｋｃｏｎｔａｃｔｂａｒｒｉｅｒ ｗｅｒｅｒｅｓｅａｒｃｈｅｄｏｎｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｇｅｒｍａｎｉｕｍｔｈｉｎｆｉｌｍｓｏｌａｒｃｅｌｌｕｓｉｎｇ ＡＭＰＳｐｒｏｇｒａｍ．Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｆｏｕｎｄｔｈａｔｔｈｅａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｏｎｗｉｔｈｔｈｅｂａｎｄｇａｐｏｆ１．９２ｅＶ ｉｓｍｏｒｅｓｕｉｔａｂｌｅｆｏｒｔｈｅｗｉｎｄｏｗｌａｙｅｒｏｆｔｈｅｓｏｌａｒｃｅｌｌ．Ｔｈｅｔｈｉｎｎｅｒｔｈｅｗｉｎｄｏｗｌａｙｅｒ，ｔｈｅｂｅｔｔｅｒｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｓｏｌａｒｃｅｌｌ．Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎａｌｓｏｓｈｏｗｓｔｈａｔｔｈｅｌｏｗｅｒｔｈｅｂａｃｋｃｏｎｔａｃｔｂａｒｒｉｅｒ，ｔｈｅｂｅｔｔｅｒ ｔｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｔｈｅｓｏｌａｒｃｅｌｌ．Ｔｈｅｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆｓｏｌａｒｃｅｌｌｗｉｌｌｎｏｔｂｅａｆｆｅｃｔｅｄｂｙｔｈｅ ｂａｃｋｃｏｎｔａｃｔｂａｒｒｉｅｒｗｈｅｎｔｈｅｂａｃｋｃｏｎｔａｃｔｂａｒｒｉｅｒｉｓｂｅｔｗｅｅｎ０．１