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模拟电路学习笔记总结，必收藏！ 模拟电路是一门内容多、涉及面广、新知识点多，学时少的学科。 作为模拟电路设计师， 可借鉴前人在学习和工作中的一些心得体会。 1、同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等 2、反相放大电路的重要特征是 “虚地”的概念 3、PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生 了 4、高频电路中，必须考虑PN结电容的影响 （正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容） 5、点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路 6、硅管正向导通压降0.7V,锗管为0.2V 7、齐纳二极管 （稳压管）工作于反向击穿状态 8、肖特基二极管（Schottky,SBD）适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低（0.2V） 但是反向击穿电压较低，漏电流也较大 9、光电二极管 （将光信号转为电信号） 10、二极管的主要参数：最大整流电流，最大反相电压，漏电流 11、三极管有发射极 （浓度最高需要发射电子 （空穴）嘛，当然浓度高了），集电极，基 极 （浓度最低）。箭头写在发射极上面发射的东西当然需要箭头了！ 12、发射极正偏，集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式： 共基极，共发射极 （最多，因为电流，电压，功率均可以放大），共集电极。判别三种组态 的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出；共集电极，由基极输入，发射极输出；共基 极，由发射极输入，集电极输出。 13、三极管主要参数：电流放大系数β，极间反向电流，（集电极最大允许电流，集电极最 大允许耗散功率，反向击穿电压 3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域） 14、三极管数学模型：单管电流放大 15、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响 （双电源更好） 16、三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路： 只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只 放大电压，跟随电流，高频特性好 17、去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地， 滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路 18、BJT是一种电流控制电流型器件 （双极型），FET是一中电压控制电流器件 （单极型） 19、主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言， 为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。 20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e， 集电极c。源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate,门一样的存 在，和基极的作用差不多其中P型衬底一般与栅极g相连 21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用 （开启电压Vt），耗尽型FET则不需要 栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极 （如果加负的Vgs，那么可能 出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以在正负的栅源电压下工作） 22、N沟道的MOS管需要正的Vds （相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt （相当于三 极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt 23、MOSFET主要参数：开启电压Vt，夹断电压Vp。极限参数：最大漏极电流Idm，最大耗 散功率Pdm 24、MOSFET三种放大电路：共源极放大电路 （共射极），共漏极放大电路 （共集电极）， 共栅极放大电路 （共基极） 25、差分式放大电路：差模信号：两输入信号之差。共模信号：两输入信号之和除以2。由 此：用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型：任意一个输入信号 共模信号±差模信号/2 26、差分式放大电路只放大差模信号，抑制共模信号。利用这个特性，可以很好的抑制温度 等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标：共模抑制比Kcmr 27、集成运放的温度漂移是漂移的主要来源 28、集成运放的参数：最大输出电流，最大输出电压 29、VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压 30、放大电路的干扰：1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动 （采用 稳压电源，输入和输出加上滤波电容） 31、负反馈放大电路的四种组态：电压串联负反馈