固体材料合.doc

解：凝聚系统：不含气相或气相可以忽略的系统。 介稳平衡：即热力学非平衡态，能量处于较高状态，经常出现于硅酸盐系统中。 低共熔点：是一种无变量点，系统冷却时几种晶相同时从熔液中析出，或加热时同时融化。 双升点：处于交叉位的单转熔点。 双降点：处于共轭位的双转熔点。 马鞍点：三元相图界线上温度最高点，同时又是二元系统温度的最低点。 连线规则：将一界线（或其延长线）与相应的连线（或其延长线）相交，其交点是该界线上的温度最高点。 切线规则：将界线上某一点所作的切线与相应的连线相交，如交点在连线上，则表示界线上该处具有共熔性质；如交点在连线的延长线上，则表示界线上该处具有转熔性质，远离交点的相被回吸。 三角形规则：原始熔体组成点所在副三角形的三个顶点表示的物质即为其结晶产物；与这三个物质相应的初初晶区所包围的三元无变量点是其结晶结束点。 重心规则：如无变点处于其相应副三角形的重心位，则该无变点为低共熔点：如无变点处于其相应副三角形的交叉位，则该无变点为单转熔点；如无变点处于其相应副三角形 的共轭位，则该无变点为双转熔点。 烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。 烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为烧结，达到烧结时相应的温度，称为烧结温度。 泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。 液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。 固相烧结：在固态状态下进行的烧结。 初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。 晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象. 二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。 10-23分析添加物是如何影响烧结的。 解：（1）外加剂与烧结主体形成固溶体两者离子产生的晶格畸变程度越大，越有利于烧结。 （2）外加剂与烧结主体形成液相，在液相中扩散传质阻力小，流动传质速度快，降低了烧结温度和提高了坯体的致密度。 （3）外加剂与烧结主体形成化合物抑制晶界移动。 （4）外加剂阻止多晶转变 （5）外加剂（适量）起扩大烧结范围的作用 10-25影响烧结的因素有哪些？最易控制的因素是哪几个？ 解：（1）粉末的粒度。细颗粒增加了烧结推动力，缩短原子扩散距离，提高颗粒在液相中的溶解度，从而导致烧结过程的加速。 （2）外加剂的作用。在固相烧结中，有少量外加剂可与主晶相形成固溶体，促进缺陷增加，在液相烧结中，外加剂改变液相的性质（如粘度，组成等），促进烧结。 （3）烧结温度：晶体中晶格能越大，离子结合也越牢固，离子扩散也越困难，烧结温度越高。保温时间：高温段以体积扩散为主，以短时间为好，低温段为表面扩散为主，低温时间越长，不仅不引起致密化，反而会因表面扩散，改变了气孔的形状而给制品性能带来损害，要尽可能快地从低温升到高温，以创造体积扩散条件。 （4）盐类的选择及其煅烧时条件的影响：盐类的选择：用能够生成粒度小、晶格常数较大、微晶较小、结构松弛的MgO的原料盐来获得活性MgO，其烧结活性良好。煅烧时条件：煅烧温度愈高，烧结活性愈低的原因是由于MgO的结晶良好，活化能增高所造成的。 （5）气氛的影响：氧化，还原，中性。 （6）成形压力影响：一般说成型压力越大颗粒间接触越紧密，对烧结越有利。 除上述六点以外，还有生坯内粉料的堆积程度、加速热度、保温时间、粉料的粒度分布等。 2.正常晶粒生长和二次再结晶的区别，及对烧结的影响。 晶粒生长：无应变的材料在热处理时，平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下，连续增大的过程。 初次再结晶是指在已发生塑性变形的基质中，出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。 二次再结晶：少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大过程。 晶粒的大小取决于起始晶粒的大小,烧结温度和烧结时间 晶粒生长是坯体内晶粒均匀生长，服从公式： 是平均尺寸增长，无晶核；界面处于平衡状态，界面上无应力；气孔在晶界上或晶界交汇处。 均匀生长；符合Dt=d/f；气孔排除；界面无应力。 二次再结晶是个别晶粒异常生长；二次再结晶的大晶粒界面上有应力存在；二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。 不均匀生长；不符合Dt=d/f；气孔被晶粒包裹；界面上有应力。 1）晶界是气孔（空位源）通向烧结体外的主要扩散通道，是排除气体的通道。 2）在离子晶体中，晶界是阴离子快速扩散的通道。一般的说，阴离子体积大，扩散总比阳离子慢，烧结速率一般由阴离