模电02(二极管及其基本电路)-1.pptVIP

北京奥运会开幕式 梦幻五环 模拟电路中的主要器件 3.1 半导体 一、本征半导体 2.共价键 3.空穴及其导电作用 3.空穴及其导电作用 3.2 PN结 3.2 PN结 (2) PN 结加反向电压(反偏) * 问：材料构成？ 问：发光原理？ 答：发光二极管(LED) ，属于半导体材料。 答：通电后，半导体中的空穴与电子复合，释放能量，从而发光。 问题的引出 二极管 三极管 场效应管 集成运算放大器 3.1 半导体 3.2 PN结 3.4 二极管的基本电路 3.3 二极管 3.5 特殊二极管 导体 绝缘体 半导体 导电能力 硅Si 锗Ge 砷化镓GaAs 关键：半导体材料的导电能力具有一定的可控性！ 1. 原子结构：以Si,Ge为例 Si Ge 3.1 半导体 定义：化学成分纯净、物理结构完整（单晶体形态）。 4价元素，4个价电子。 共价键结构平面示意图 常温下束缚电子很难脱离共价键。 3.1 半导体 一、本征半导体 3.1 半导体 一、本征半导体 本征激发 空 穴 自由电子 半导体区别于导体的重要标志！ 束缚电子从 视为空穴从 结论：两种载流子 自由电子 空穴 电量相等，极性相反 3.1 半导体 一、本征半导体 思考：空穴的运动是自由电子运动引起的吗？ 本征半导体（4价） N型(电子)半导体 P型(空穴)半导体 3.1 半导体 二、杂质半导体 硼（3价） 磷（5价） 多子：空穴 少子：空穴 少子：自由电子 均匀分布正离子 均匀分布负离子 多子：自由电子 复 习 正离子 负离子 空 穴 自由电子 本征半导体（4价） N型(电子)半导体 P型(空穴)半导体 3.1 半导体 二、杂质半导体 硼（3价） 磷（5价） 多子：空穴 少子：空穴 少子：自由电子 均匀分布正离子 均匀分布负离子 多子：自由电子 复 习 一、 PN结的形成 电场作用 载流子浓度差 扩散运动 漂移运动 正离子 负离子 空 穴 自由电子 浓度差 ? 促使少子漂移 ? 阻止多子扩散 扩散 = 漂移(动态平衡) 多子扩散 杂质离子形成空间电荷区 ? ? 形成内电场ε0 (N →P) ? 稳定的空间电荷区称为PN结 ? ? 一、 PN结的形成 1.PN结加正向电压(正偏) 外电路：流入P区的电流IF E↑→多子扩散加剧→IF↑↑ 小电阻，大的正向电流 PN结导通 二、 PN结的单向导电性 3.2 PN结 内电场:ε0 →ε0-EF 多子扩散 少子漂移 扩散电流 漂移电流 IF EF ε0 内电场:促进少子漂移 阻止多子扩散 大电阻，很小的反向电流 PN结截止 2.PN结加反向电压(反偏) 二、 PN结的单向导电性 3.2 PN结 内电场: ε0 →ε0+ER 多子扩散 少子漂移 扩散电流 漂移电流 外电路：流入N区的电流IR IR E↑→少子漂移饱和→IR=IS ER ε0 内电场:促进少子漂移 阻止多子扩散 PN结的伏安特性 3. PN结V- I 特性表达式 二、 PN结的单向导电性 3.2 PN结 IS —— 反向饱和电流 VT —— 温度的电压当量 常温下（T=300K） n —— 发射系数，1~2 e —— 自然对数的底 iD + vD - ☆vD为正且vDVT ☆vD为负且∣vD∣VT 3. PN结V- I 特性表达式 二、 PN结的单向导电性 3.2 PN结 PN结的伏安特性 iD + vD - * *