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基于接触性检测的IC热阻测试新方法

第 1期 宁永成 :基于接触性检测 的 lC热阻测试新方法 利用晶体管温敏参数与瞬态热阻在一定的条件下满 波尔兹曼常数 : 足某种数学关系式 ,通过测量晶体管温敏参数可以 卜 绝对温度 : 间接地测试瞬态热阻参数。电学法与红外成像法想 q—— 电子电荷 ; 比,尽管其测量结果 的精度不高,但其特点是效率 — — 由材料参数和工艺参数决定的、与温度 高、成本低 ,对器件无损。 无关的器件常数 : 接触测试也被称为开路一短路测试 (Open— — — 与迁移率有关的常数 ; ShortTest),一是保证测试接 口与器件正常连接 , 为正向电流。 二是判断器件内部端 口是否存在损伤 。如键合丝断 当工作 电流保持不变 ,lnT是 的缓变函数 , 开 、搭接 ,静电击穿短路等 ,是半导体电路尤其是 又是一个很小 的量级的数 ,因此 当忽略式 (1)中 CMOS电路首先进行的测试项 目。其原理是通过测 ~/lnT项 , 用常量 口代替,用常量 b代替,则得 试输入输出管脚上保护二极管的自然压降来确定连 到式 (2): 接性。测试原理见图 1。测试时其它所有的管脚都 V,一0一b·T (2) 接 0V,被测管脚施加正向电流 (灌入)是测试上 用摄氏温度表示可有式 (3): 拉二极管的正 向压降.测试值一般在 0.4~1.4V之 VF 口’一b·t : (3) 间;被测管脚施加反向电流 (抽 出)测试下拉二极 口 =。一273.16.6 管的正向压降,测试值一般在一1.4~0.4V之间。 式 (2)、 (3)表明在二极管正向电流不变时, 在高低温测试过程 中,发现在相同的电流下,其测 正向压降随温度近似地呈线性关系,随温度上升而 试值不同,高温下的数值 比低温时明显地变小。 下降。 如果将二极管的压降作为温度敏感参数 .并建 对于芯片到环境热阻 .,当环境温度恒定时, 立该参数与温度的函数关系,则通过接触性测试所 其定义为 : 获得 的二极管正向压降可以间接地 了解 芯片的问 .= (Tr- /△ (4) 题 .进而可以测试封装后半导体集成电路的芯片到 式 (4)中:△P,一 芯片增加的功率 ; 环境热阻 一 功率变化 △PJ后的芯片温度 ; 电源管脚 — — 环境温度。 结合式 (3)、 (4),确定具体的集成 电路中二 极管特定电流下的正向压降和温度的函数关系,通 待 测 过接触性测试 就可以确定芯片的工作温度 , 芯 测得实际功耗和环境温度即可得到 。 片 2 IC保护二极管温度特性实验

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