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第 29 卷第4 期 电子与信息学报 Vo1.29No.4 2007 年4 月 Journal of Electronics Iruormation Technology Apr.2007 利用 GA 实现非对称稀疏线阵旁瓣电平的优化 陈容松 付子边 韩春林 (电子科技大学电子工程学院成都 610054) 摘 要z 该文讨论运用遗传算法综合非对称的稀疏直线阵列(阵元从规则栅格中稀疏)。阵元在中心两侧非对称分布 的布阵方式提供了可利用的优化自由皮，将更有利于提高稀疏阵列的性能。构造了阵元关于阵中心非对称时优化旁 瓣电平的道眼皮函数，仿真结果表明，无对称约束的阵元排列，不仅可以进一步抑制稀疏钱阵的相对旁瓣电平 (RSLL) ，而且当阵列由有向阵元组成时，有益于改善阵列被班拍捕过程中 RSLL 的2恶化。 关键询:稀疏阵列;遗传算法(GA); 旁瓣电平:优化布阵 中图分费号: TN 820. 1+ 5, TN 820.1十 3 文献标识码:A 文章编号: 1009-5896(2007)04-0987-04 Sidelobe Reduction of Asymmetric Linear Thinned Arrays Using Genetic Algorithm ChenKφsong He Zi-shu Han Chun-lin ( University 01 Electronic Science αnd Technology 01 China, Chengdu 610054 , China) Abstract: This paper present日 how to synthesize asymmetric linear arrays using genetic algorithms. The asymmetric configuration is an available degree of freedom to control the characters of thinned array日. In this paper , the Genetic Algorithms (GA) determines which elements are turned off in a periodic arr町 to yield the lowest maximum Relative 8ideLobe Level (RSLL). Fitness function of GA for asymmetric linear arrays synthesis is designed. 8imulation result日 show that the optimized asymmetric linear arrays which lack the design constraint of bilateral symmetry can not only obtain lower sidelobes ,but also weaken the deterioration of scanning beam if the thinned arrays are rnade up of the directional elements. Key words: Thinned arraySj Genetic Algorithms (GA)j 8idelobe levelj Optimum arrays 1 引|窗 位置非对称时优化旁瓣电平的适应度函数，将天线位置作为 优化变量降低一个均匀愤电的满足给定稀布率的稀布阵的 陈列天钱的最大相对旁瓣电平(m