第十一章 场效应晶体管.ppt

* 场效应晶体管 场效应管的特点 结型场效应管 绝缘栅场效应管 第四章 绝缘栅场效应管 结型场效应管 第四节 场效应晶体管简称场效应管，用FET来表示 （Field Effect Transistor）。 一、绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS管。 MOS管按工作方式分类 增强型MOS管 耗尽型MOS管 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 第四节 （一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 N N b-衬底引线 s g d P衬底 b SiO2绝缘层 g-栅极 S-源极 d-漏极 N型区 g g s s d d b b 箭头方向是区别N沟道与P沟道的标志 第四节 N沟道 P沟道 铝 2.工作原理 （1）感生沟道的形成 在电场的作用下，可以把P型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥掉，形成空间电荷区。 当uGS增加到某一临界电压(UT)值时，吸引足够多的电子，在P型半导体的表面附近感应出一个N型层,形成反型层—漏源之间的导电沟道。 开始形成反型层的uGS称为开启电压(UT)。uGS越高，电场越强，感应的电子越多，沟道就越宽。 uGS g b 自由电子 反型层 耗尽区 第四节 绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小。 栅极和源极之间加正向电压 耗尽区 铝 SiO2 衬底 P型硅 g b uGS 受主离子 空穴 （2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用 在栅源电压uGS=0时，没有导电沟道。漏源极之间存在两个背向PN结，其中一个为反向偏置，只能流过很小的反向饱和电流，iD≈0。 增大VGG，使uGS=UT时形成导电沟道。在正向漏源电压作用下，沟道内的多子（电子）产生漂移运动，形成漏极电流iD。 uGS变大 iD变大 沟道宽度变宽 沟道电阻变小 N N VDD VGG s d b g iD P N沟道 uGS≥UT时才能形成导电沟道 第四节 uGS对iD的控制作用： （3）漏源电压uDS对漏极电流iD的影响 uGS≥UT 时，沟道形成。当uDS较小，即uGDUT时，沟道宽度受uDS的影响很小，沟道电阻近似不变，iD随uDS的增加呈线性增加。 当uDS增大时，沟道各点与栅极间电压不等，使沟道从源极向漏极逐渐变窄。随着uDS增大，沟道电阻迅速增大，iD不再随uDS线性增大。 继续增大uDS ，则uGD UT，夹断区增加，增加的uDS电压几乎全部降落在夹断区上，所以uDS虽然增加而电流基本上是恒定的。 VGG VDD s d b g iD P N N uGDUT uGD=UT uGDUT 第四节 耗尽区 N沟道 当uDS增大到使uGD =UT时，在靠近漏极处，沟道开始消失，称为预夹断。 （二）N沟道增强型MOS管的特性曲线 1.输出特性 输出特性是指uGS为一固定值时，iD与uDS之间的关系，即 输出特性分为三个区： 可变电阻区 恒流区 截止区 第四节 可变电阻区（非饱和区） 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ区对应预夹断前，uGSUT，uDS很小，uGDUT的情况。 ①若uGS不变，沟道电阻rDS不变，iD随uDS的增大而线性上升。 ②uGS变大， rDS变小，看作由电压uGS控制的可变电阻。 Ⅰ Ⅱ 第四节 截止区 该区对应于uGS≤UT的情况 由于没有感生沟道，故电流iD≈0，管子处于截止状态。 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ Ⅱ 恒流区（饱和区） Ⅱ区对应 预夹断后，uGSUT，uDS很大，uGDUT的情况。 iD只受uGS控制。若uGS不变，随着uDS的增大，iD几乎不变。 预夹断轨迹方程为： 第四节 2.转移特性 转移特性是指uDS为固定值时，iD与uGS之间的关系，即 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) uGS(V) iD(mA) 0 uDS=10V 1 2 3 4 5 6 当FET工作在恒流区，不同uDS的转移特性曲线基本接近。 转移特性曲线方程 （UGSUT） 其中K为常数，由管子结构决定，可以估算出来。 第四节 UT （三）N沟道增强型MOS管的主要参数 直流参数 交流参数 极限参数 第四节 1.直流参数 （2）直流输入电阻RGS （1）开启电压UT 在衬底表面感生出导电沟道所需的栅源电压。实际上是在规定的uDS条件下，增大uGS，当iD达到规定的数值时所需要的uGS值。 在uDS=0的条件下，栅极与源极之间加一定直流电压时，栅源极间的直流电阻。