第六讲 半导体存储器.ppt

第六章 半导体存储器 6.1 概述 6.2 顺序存取存储器（ SAM） 6.3 随机存取存储器（ RAM） 6.4 只读存储器（ROM） 第六章 半导体存储器 第六章 半导体存储器 6.1 概述 存储器是存储信息的器件，主要用来存放二进制数据、程序和信息，是计算机等数字系统中不可缺少的组成部分。 6.1.1 半导体存储器的特点 集成度高，体积小 可靠性高，价格低 外围电路简单易于批量生产 6.1.2 半导体存储器的分类 按存取功能，半导体存储器可分为 ： 顺序存取存储器SAM(Sequential access memory)。 按器件类型 ，半导体存储器可分为： 双极型存储器和MOS型存储器 只读存储器ROM（Read-only memory ） 随机存取存储器RAM（Random access memory） 6.2 顺序存取存储器（ SAM） SAM 是一种按顺序串行地写入或读出的存储器，也成为串行存储器，由于SAM的数据是按一定顺序串行写入或读出，所以它实质上就是移位寄存器。 SAM按数据读出的顺序分为先入先出和先入后出型。 6.3 随机存取存储器（ RAM） 存储单元 — 存放一位二进制数的基本单元(即位)。 存储容量 — 存储器含存储单元的总个(位)数。 存储容量 = 字数（word） ? 位数（bit） 地址 — 存储器中每一个字的编号 256?1，256?4 一共有 256 个字，需要 256 个地址 1024?4，1024?8 一共有 1024 个字，需要 1024 个地址 地址译码 — 用译码器赋予每一个字一个地址 N 个地址输入，能产生 2N 个地址 一元地址译码(单向译码、基本译码、字译码) 二元地址译码(双向译码、位译码) — 行译码、列译码 6.3.1 RAM 的结构与工作原理 存储矩阵 … 读/写 控制器 地 址 译 码 器 … 地 址 码 输入 片选 读/写控制 输入/输出 CS R / W I / O [例] 对 256 ? 4 存储矩阵进行地址译码 一元地址译码 … … … D3D2D1D0 W0 W1 W256 译 码 器 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 A0 A1 A7 1 0 . . . 0 W1 1 0 1 0 8线 — 256线 缺点: n 位地址输入的译码器,需要 2n 条输出线。 1 0 1 0 二元地址译码 Y0Y1 Y15 … A0 A1 A2 A3 X0 X1 X15 行 译 码 器 A4 A5 A6 A7 … 列译码器 Dout 4线 —16线 1 0 . . . 0 1 0 … 0 8 位地址输入的 地址译码器,只有 32 条输出线。 25 (32) 根行选择线 10 根地址线 — 2n (1024)个地址 25 (32)根列选择线 1024 个字排列成 — 32 ? 32 矩阵 当 X0 = 1，Y0 = 1 时， 对 0-0 单元读(写) 当X31 = 1，Y31 = 1时， 对 31-31 单元读(写) [例] 1024 ? 1 存储器矩阵 6.3.2 RAM的存储单元 (一) 静态存储单元 基本工作原理： T5 T6 T7 T8 D D Xi Yi S R 位 线 B 位 线 B T5、T6 — 门控管 控制触发器与位线的连通 截止 截止 ? ? 导通 导通 0 截止 截止 ? ? 0 1 导通 导通 读操作时: 写操作时: T7、T8 — 门控管 控制位线与数据线的连通 0 0 1 MOS管为 简化画法 T1 T3 T2 T4 T5 T6 T7 T8 VDD VGG D D Xi Yi 1. 六管 NMOS 存储单元 基本RS 触发器 T1 T3 T2 T4 VDD VGG 1 导通 0 截止 0 截止 1 导通 特点： 断电后数据丢失 2. 六管 CMOS 存储单元 T1 T3 T2 T4 T5 T6 T7 T8 VDD D D Xi Yi N P 特点： PMOS 作 NMOS负载，功耗极小，可在交流电源断电后,靠电池保持存储数据. (二) 动态存储单元 1. 四管动态存储单元 T5、T6 — 控制 对位线的预充电 VDD 存储单元 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 D D Xi Yi 位 线 B 位 线 B CB CB 预充脉冲 C1 C2 1 导通 0 截止 T3、T4 — 门控管 控制存储单元 与位线的连通 T7、T8 — 门控管 控制位线与数 据线的连通 1 1 0