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第三章 双极结型晶体管 填空题 1、晶体管的基区输运系数是指（）电流与（?）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（??? ），从而使基区输运系数（????? ）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（????? ）基区少子扩散长度。 2、晶体管中的少子在渡越（??? ）的过程中会发生（??? ），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（? ）。 3、晶体管的注入效率是指（???????? ???????????????）电流与（????????? ）电流之比。为了提高注入效率，应当使（??? ）区掺杂浓度远大于（??? ）区掺杂浓度。 4、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（? ）偏、集电结（? ）偏时的（????? ）电流与（?????）电流之比。 5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（??? ）结正偏、（??? ）结零偏时的（????? ）电流与（? ）电流之比。 6、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（??? ）基区宽度，（??? ）基区掺杂浓度。 7、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，若要获得1kΩ的电阻，则该材料的长度应改变为（??00μm??? ）。 8、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（??????? ），它对少子在基区中的运动起到（??? ）的作用，使少子的基区渡越时间（??? ）。 9、小电流时α会（??? ）。这是由于小电流时，发射极电流中（????????????????????? ）的比例增大，使注入效率下降。 10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（??????? ），反而会使其（??? ）。造成发射区重掺杂效应的原因是（??????? ）和（??????????? ）。 11、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（? ）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（????????? ）大于同质结双极晶体管的。 12、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（??? ）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（??? ），这称为（??????????? ）效应。 13、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（??? ），使基区宽度（??? ），从而使集电极电流（??? ），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。 14、IES是指（?）结短路、（?）结反偏时的（）极电流。 15、ICS是指（?）结短路、（?）结反偏时的（）极电流。 16、ICBO是指（?）极开路、（?）结反偏时的（）极电流。 17、ICEO是指（??? ）极开路、（）结反偏时的（??? ）极电流。 18、IEBO是指（??? ）极开路、（??? ）结反偏时的（??? ）极电流。 19、BVCBO是指（??? ）极开路、（??? ）结反偏，当（???? ）→∞时的VCB。 20、BVCEO是指（??? ）极开路、（??? ）结反偏，当（??? ）→∞时的VCE。 21、BVEBO是指（??? ）极开路、（??? ）结反偏，当（??? ）→∞时的VEB。 22、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（??? ）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（??? ）基区宽度、（??? ）基区掺杂浓度。 23、比较各击穿电压的大小时可知，BVCBO（??? ）BVCEO ，BVCBO（??? ）BVEBO。 2、随着信号频率的提高，晶体管的αω, βω的幅度会（??? ），相角会（??? ）。 2、在高频下，基区渡越时间τb对晶体管有三个作用，它们是：（????????????????? ）、（??????????????????? ）和（??????????????????????? ）。 2、基区渡越时间τb是指（??????????????????????????? ）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（? ）倍。 、晶体管的共基极电流放大系数|αω|随频率的（??? ）而下降。当晶体管的|αω|下降到（??α??? ）时的频率，称为α的截止频率，记为（? ）。 、晶体管的共发射极电流放大系数|βω|随频率的（??? ）而下降。当晶体管的|βω|下降到β0时的频率，称为β的（??????? ），记为（? ）。 、当ffβ时，频率每加倍，晶体管的|βω|降到原来的（??? ）；最大功率增益Kpmax降到原来的（??? ）。 3、当（? ?? ）降到1时的频率称为特征频率fT。当（??? ）降到1时的频率称为最高振荡频率fM。 31、当|βω|降到（? ）时的频率称为特征频率fT。当Kpmax降到（? ）时的频率称为最高振荡频率fM。 3、晶体管的高频优值M是