5全控型电力半导体器件.ppt

第五章.全控型电力半导体器件 电力半导体器件的特性影响到电力电子装置和系统的体积、重量、价格和性能。 前面各章分析的变流器，主要是以普通晶闸管构成。普通晶闸管由于它的大电流、高耐压和相对强的过载能力，已在各电气控制领域获得广泛的应用，特别是在可控整流、交流调压、交交变频等电网换流的变流器中，今后仍将继续大量使用。但是由于普通晶闸管门极只能控制导通，器件一旦被触发导通后，门极即失去对阳极电流的控制能力，属于一种半控型器件。 当半控型器件用于斩波、逆变这类直流输入电压的变流器时，就存在如何将器件关断，即实现换流这一突出问题。为此必须附加强迫换流电路。这样，不但使装置变得复杂、笨重、效率低，而且大大限制了工作频率的提高，设计计算也较麻烦。 为了克服这一重大弱点，目前在向两个方面努力：一是发展快速器件，减小器件的关断时间，从而使换流电路简化，换流元件的容量和体积减小；另一就是发展控制极不仅可以控制导通，而且可以控制关断的全控型器件（亦称自关断器件），从根本上解决换流问题。 5.1.门极可关断晶闸管（GTO） 5.1.1.结构特点和关断原理 1）.结构特点 2）.关断原理 5.1.2.特性与参数 1）.反映GTO性能的主要参数： （1）.最大可关断阳极电流IATO ：指用门极电流可以重复关断的阳极峰值电流，也称可关断阳极峰值电流。这是GTO的一个重要参数。通常说多少安培的GTO就是指这一电流。 （2）.额定通态平均电流：指一个周期内方波电流的额定平均值。这是衡量工频稳态下GTO载流能力的参数，GTO的稳态载流能力。也可用额定通态电流有效值来表示。 （3）.反向电压：反向电压和SCR一样用反向重复峰值电压表示。 GTO有逆阻型和阳极短路型（亦称无反压GTO）两种。前者可承受正反向电压，但正向压降大，快速性差；后者不能承受反向电压，但正向压降低，快速性好，热稳定性优良，适用于电压型逆变电路和斩波电路，可工作于较高频率。 （4）门极关断电流： 指从通态转为断态所需的门极反向瞬时峰值电流的最小值。 此外，GTO的下列参数与SCR也有些差别： （1）.由于GTO成梳状结构，窄长阴极单元，与门极以叉指状相配，围界很长，因此GTO加门极正脉冲触发导通时，初时导通区域很大，导通非常迅速，载流能力强，并能承受高的di/dt 。另外，承受du/dt的能力也比SCR大。 （2）.掣住电流IL和维持电流IH比SCR大得多。 （3）.由于GTO工作于临界饱和状态，管压降要大一些，约为2～4.5V，相应地，直流通态损耗也大些。 （4）.因为GTO的关断是由门极负脉冲完成的。所以GTO门极功耗PG比SCR大。 5.1.3.缓冲电路 电力半导体器件作功率开关元件，在导通状态下虽流过大电流，然而管压降很小；在关断状态下，元件承受高电压，然而漏电流却很小，困此在稳定的开通和关断状态，器件本身的损耗都很小。但在动作过程中：开通时，电流的建立和电压的下降都有个过程；关断时，电流的衰减和电压的恢复也有个过程。这期间，元件上的电流和电压有重叠，会引起很大的关断损耗。开关频率愈高，这种开关损耗占的比例愈大。 为了减小开关损耗以及降低di／dt、du／dt和浪涌电压，电力半导体器件使用时一般均需加缓冲电路。 缓冲电路的形式很多，其基本思路是使开通中的阳极电流缓升；关断中的阳极电压缓升。以避免GOT导通和阻断过程中同时承受高电压和大电流。 利用电感阻止电流变化和电容端电压不能突变特性组成的基本缓冲电路如下图虚线框内所示： 5.1.4.对门极信号的要求 1）.开通与关断过程的波形 两个主要参数：开通时间ton；关断时间toff 。 2）.对门极触发信号的要求 （l）.电流上升率：GTO要求有足够大的电流上升率，以加快导通速度．缩短开通时间。 （2）.脉冲幅度：一般要求脉冲幅度大于门极触发电流的2－3倍，强触发使成百上千的单元GTO有良好开通一致性，并缩短导通时间。 （3）.脉冲宽度：一般为开通时间的几倍，以保证所有单元充分地导通，当主回路为感性负载时，脉冲宽度应该更宽。 （4）.通态门极电流：GTO导通后继续施加门极电流，能使GTO充分导通，并减小通态压降和开通损耗。 3）.对门极关断信号的要求 （1）.门极关断电流下降率：大好； （2）.负门极电流幅度：大些好，但一般取被关断阳极电流的 1／5－1／3。 （3）.门极关断电压：GTO要求门极关断电压有一定的大小，以确保抽走足够的阳极电流而利于GTO关断。一般取门极关断电压持续时间大于2ton 。 （4）.负门极偏压：负门极偏压对于防止刚刚关断的GTO再次导通是非常有利的，它能确保阳极耐压能力在一定范围内不受du／dt增长的影响。 此外，GTO在开通和关断过程中，电流、电压的急剧变化，可能通过杂散电场和