第一章导论（朱平）.pptVIP

1.5 数字设计的质量评价 集成电路成本 固定成本：设计的时间和人工 可变成本： （芯片成本+芯片测试成本+封装成本）/最终测试的成品率 芯片成本：圆片成本/（每个圆片的芯片数×芯片成品率） 芯片成品率: [1+(单位面积的缺陷数×芯片面积）/α]-α 注： α为取决于制造工艺复杂性的参数，通常取值为3. 每个圆片的芯片数：π ×圆片半径的平方/芯片面积- π ×圆片直径/(2 ×芯片面积)0.5 例题： 假设有一个12英寸的圆片，芯片尺寸为2.5cm2, 1个缺陷/cm2, α=3. 确定该CMOS工艺生产的成品率。 功能性和稳定性 噪声：逻辑节点上不希望发生的电压和电流的变化。 噪声进入电路的方式：电感耦合、电容耦合、电源线和地线噪声。 功能性和稳定性 静态特性(稳定性)：衡量电路对制造过程中发生的偏转和噪声干扰。 逻辑电平映射至电压范围 噪声容限： 所能允许的噪声电平。 再生性：保证一个受干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛回到额定电平中的一个。 抗噪声能力：系统在噪声存在的情况下正确处理和传递信息的能力，用于衡量一个电路相对于噪声的稳定性。 方向性：门的方向性是单向的，即一个输出电平的变化不应当出现在同一电路的任何一个并未改变的输入上。 例1.5 电压传输特性 性能 用时钟周期的长短（时钟周期时间）或它的速率（时钟频率）来表示。 功耗和能耗 峰值功耗 Ppeak=ipeakVsupply=max[p(t)] Literature searching tools methods 《美国工程索引》Engineering Index—EI 《美国科学引文索引》Science citation Index-- SCI 《英国科学文摘》Science Abstracts--SA 《美国科学评论索引》Index of Science Review--ISR 《美国科技会议录索引》 Index to Science Technical Proceedings-- ISTP Searching flow VOH Vout VOH Vin VOL VOL Vout = Vin Vm 开关阈值电压 电压传输特性 图 反相器的电压传输特性 VOH = (VOL) VOL = (VOH) 反相器的逻辑关系 VOL VOH VIH VIL 额定高电压 可接受高电压 可接受低电压 额定低电压 VOH Vout VOH Vin VOL VOL Vout = Vin VIL VIH 过渡宽度 高噪声容限 低噪声容限 不定区 VIH VIL 1 0 VOH VOL VNMH VNML Gate Output Gate Input VNML=VIL-VOL VNMH=VOH-VIH V0 V1 V2 V3 V4 反相器链 具有再生性的反相器应当有一个增益绝对值大于1的过渡区。 扇入：该门输入的数目。 扇出：连接到驱动门输出端的负载门的数目。 例题1.5（P19）： 平均功耗 巩固基础知识，包括：数字/模拟电路，半导体物理，微电子器件等课程的相关内容。 通过实验，多接触一些实物，增强感性认识。 积极查阅最新的微电子科技资料，了解国内外集成电路发展现状和趋势。 勤于练习，认真完成作业。主动整理学过的知识。努力使所学知识融会贯通，变为己用。 以教材为主，补充最近相关基础知识及新发表的期刊文章。 每章节小结，突出重点。 适当布置课后练习。 1.6 本课程教学方法 1.2.3 中国半导体工业发展与现状 1、主要的工厂： 北京：774厂（东方）、878厂 锦州：777 江苏：742厂?华晶（无锡） ? 中电集团58所 华润上华 江西：南昌746厂 湖南：长沙4435厂 贵州：873、4433厂 四川：970（亚光） 甘肃：749厂 871厂?天光（天水） 华越（绍兴） 西安：877（卫光） 2、主要研究所： 中电13所（石家庄）：微波、GaAs FET 中电24所（重庆）：模拟IC，SiGe 中电55所（南京）：微波、GaAs FET 中电47所（沈阳）：数字IC 中电集团58所（无锡）：数字IC为主 兵器部214所（蚌埠）：军品 航天部771所（西安）、772所（北京）：军品 中科院上海冶金所 3、“8.5”期间的发展： 华晶“908”工程（无锡） 华越（绍兴）