太阳电池磷扩散技术与工艺原理.pptVIP

磷扩散 太阳电池制造的核心工序 PN结——太阳电池的心脏 扩散的目的：形成PN结 PN结的制造 制造一个PN结并不是把两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的。 必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。 也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接触 。 扩散装置示意图 PN结的形成过程 PN结的形成(同一材质上形成) 影响扩散的因素 管内气体中杂质源的浓度 扩散温度 扩散时间 太阳电池磷扩散方法 １．三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 ２．喷涂磷酸水溶液后链式扩散 ３．丝网印刷磷浆料后链式扩散 本公司目前采用的是第一种方法。 POCl3 简介 POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源 无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。 比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。 POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发。 POCl3磷扩散原理 POCl3在高温下（600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下： 生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下： 由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下： 生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。 在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散 。 POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。 磷扩散工艺过程 清洗 初次扩散前，扩散炉石英管首先连接TCA装置，当炉温升至设定温度，以设定流量通TCA6h清洗石英管。做TCA前先要确认管路的正确. 清洗开始时，若在手动状态下要先开O2，再开TCA；清洗结束后，先关TCA，再关O2。 清洗结束后，进行饱和，待扩散。 饱和 每班生产前或长时间不生产时，须对石英管进行饱和。 炉温升至设定温度时，以设定流量通小N2（携源）和O2，使石英管饱和，约60分钟后，关闭小N2和O2。 初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产时，需使石英管在1050℃通TCA2小时后通源饱和1小时以上。(2+1) 装片 戴好防护口罩和干净的乳胶手套，将清洗甩干的硅片从传递窗口取出，放在净化装片台上。 用石英吸笔依次将硅片从硅片盒中取出，插入石英舟。 每一槽装2片,若发现硅片表面脏将干净的一面做扩散面. 送片 用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上，保证平稳，缓缓推入扩散炉。 注意不要把扩散和钝化的石英制品混用. 回温 打开适当的工艺号进行扩散，石英浆暴露在空气中的时间尽量短。 扩散 注意监视屏幕上的气体流量图,发现异常第一时间通知相关人员处理. 关源，退舟 扩散结束后，计算机自动关闭小N2和O2，将石英舟缓缓退至炉口，降温以后，用舟叉从臂桨上取下石英舟。并立即放上新的石英舟，进行下一轮扩散。 如没有待扩散的硅片，将臂浆推入扩散炉，尽量缩短臂桨暴露在暴露在空气中的时间。 卸片 等待硅片冷却后，用石英吸笔均匀的取5片进行方块电阻的测试. 将合格的硅片从石英舟上卸下并放置在硅片盒中，放入传递窗。 将返工的硅片单独放置下班后一起交清洗间处理. 磷扩散工艺条件 TCA清洗 炉温　　1050℃ 时间　　2h 小N2　　0.5L/min O2　　　10L/min *具体流量由工艺员决定 饱和 炉温　　1050℃ 时间　　1h 大N2　　25L/min 小N2　　2L/min O2　　　2.5L/min *具体流量由工艺员决定 磷扩散 扩散层薄层电阻及其测量 在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（方块电阻）是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。 方块电阻是标志扩散到半导体中的杂质总量的一个重要参数。 方块电阻的定义 考虑一块长为l、宽为a、厚为t的薄层如右图。如果该薄层材料的电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为 扩散层薄层电阻的测试 目前生产中，测量扩散层薄层电阻广泛采用四探针法。测量装置示意图如图所示。图中直线陈列四根金属探针（一般用钨丝腐蚀而成）排列在彼此相距为S一直线上，并且要求探针同时与样品表面接触良好，外面一对探针用来通电流、当有电流注