理想MOS结构的表面空间电荷区资料.ppt

2. 载流子耗尽 当金属电极上施加正偏压VG时，表面势 为正，空间电荷区中能带向下弯曲，准费米能级能级Ei靠近费米能级EF, (Ei –EF)值减小，表面空穴浓度低于体内热平衡值，造成多数载流子空穴的耗尽，少数载流子电子有所增加。当由于平衡少子数目极小，因此，少子数目仍然可以忽略。 空间电荷由没有空穴中和的、固定的受主离子构成。 单位面积下的总电荷QS为: 采用耗尽近似，根据泊松方程有： 表面势 QB:半导体空间电荷区中单位面积下的受主离子总电荷 载流子耗尽 3. 载流子反型 在耗尽基础上进一步增加偏压VG，MOS系统半导体表面空间电荷区中的能带进一步下弯。大的能带弯曲使硅表面及其附近的禁带中央能量Ei超越恒定的费米能级，即来到费术能级EF的下面。 使得：少数载流子电子浓度高于本征载流子浓度，而多数载流子空穴的浓度低于本征载流子浓度。这一层半导体由P型变成N型，称为反型层，即载流子反型。 载流子反型 当nS=ni时，半导体表面呈现本征状态，此后，再增加 ，半导体表面就会发生反型，则有： 当表面势等于体内费米势时，半导体表面开始反型 反型条件 四 反型和强反型的条件 强反型条件 但除非EiS低于EF很多，否则电子浓度很低，这种现象叫做弱反型；对于大多数MOSFET运用来说，希望确定一种条件，在超过它之后，反型层中的电子电荷浓度相当高，规定当表面电子浓度等于体内平衡多子空穴浓度时，半导体表面形成强反型层，这称为强反型条件 ，令ns=p0，可得： 强反型时的表面势 实现强反型之后，如果继续增加偏压VG，能带弯曲并不显著增加。 因为：导带电子在很薄的强反型层中迅速增加以屏蔽外电场，从而使空间电荷区的势垒高度、固定的受主负电荷以及空间电荷区的宽度基本保持不变。 强反型时相应的感生PN结耗尽层宽度为： 强反型时空间电荷区的宽度 电离受主QB为： 超过强反型以后，表面区内的空间电荷由以下条件确定： 反型层中单位面积的可动电荷，又称沟道电荷。对于P型半导体，QI就是反型层中单位面积的感生电子电荷。 Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province 理想MOS结构的 表面空间电荷区 1.结构与工作原理 2.半导体表面空间电荷区 3.载流子的积累、耗尽和反型 4.反型和强反型的条件 前言： 半导体器件的特性与半导体表面特征性质有特别重要的联系。在超、特大集成电路迅速发展的今天，半导体器件的制造相当多是在很薄的一层表面内完成的（几个微米甚至更小），因而，如何有效控制和完善半导体的表面质量，从而进一步利用半导体表面效应，可用来制造例如MOS（金属-氧化物-半导体）器件、CCD（电荷耦合器件）、LED（发光二极管）、LCD（液晶显示）、半导体激光等表面发光器件，以及太阳能电池等表面感应器件。 理想表面（清洁表面） 原子完全有规则排列所终止的一个平面。 表面排列整齐的硅原子与体内的硅原子形成共价键，但由于表面价键处于所谓“悬挂键”的空置状态，其状态极其不稳定，表面很容易吸附一些其他原子例如空气中的氧原子而形成氧化层。 真实表面 用物理或化学方法形成的半导体表面，暴露在空气中，存在氧化层或吸附其他原子。 表面存在“悬挂键”，对电子有受主的性质，存在一些可以容纳电子的能量状态，称为“表面能级”或“表面态”。 表面能级在禁带中靠近价带顶的位置，准连续。 表面势 空间电荷区表面到内部另一端，电场从最大逐渐减弱到零，其各点电势也要发生变化，这样表面相对体内就产生电势差，并伴随能带弯曲，常称空间电荷区两端的电势差为表面势ΨS。 一 结构 MOSFET结构示意图 源极、衬底和漏极构成两个背靠背的二极管。在不加栅压时，只能有很小的反向饱和电流通过源漏极。当栅压足够大时，栅极下面半导体会反型。 衬底N型半导体－P型反型层－P沟道MOSFET 衬底P型半导体－N型反型层－N沟道MOSFET 反型层出现后，再增加电极上的电压，主要是反型层中的电子增加，由电离受主构成的耗尽层电荷基本上不再增加。 二 半导体表面空间电荷区 ① 在氧化物中或在氧化物和半导体之间的界面上不存在电荷 ② 金属和半导体之间的功函数差为零 ③ SiO2层是良好的绝缘体，能阻挡直流电流流过 理想MOS结构假设： 即使有外加电压，表面空间电荷区也处于热平衡状态，使得整个表面空间电荷区中费米能级为常数。 因此： ?0为SiO2层的内建电场，QM为金属极板上的电荷，则半导体表面感应电荷为QS=－QM。