第2章半导体器件 - 复旦大学.PDFVIP

复旦大学电子工程系 陈光梦 第2章 半导体器件 复旦大学电子工程系 陈光梦 半导体基础知识 半导体材料的结构与特点 载流子及其运动 PN结 2013/9/22 模拟电子学基础 2 复旦大学电子工程系 陈光梦 半导体材料  Si,Ge,GaAs,... 4价元素或化合 物  电阻率介于导体 与绝缘体之间  具有类似的结构 2013/9/22 模拟电子学基础 3 复旦大学电子工程系 陈光梦 本征半导体  4价元素，外层有4个电子  每个原子与周围4个原子形成共价键  本征激发：价电子受热（或光照）获得能量 → 脱离共价键 → 载流子（电子与空穴） 由于本征激发的载流子浓 度不高，所以本征半导体 材料的电阻率较高 +4 +4 +4 自由电子 由于本征激发受温度与光 空穴 照的影响较大，所以本征 +4 +4 +4 半导体材料的电阻率对于 温度和光照敏感 2013/9/22 模拟电子学基础 4 复旦大学电子工程系 陈光梦 杂质半导体  施主杂质 V族元素 +4 +4 +4 自由电子 共价键多余1个电子 材料中电子多于空穴 +5 +4 +4 N型半导体  受主杂质 III族元素 +4 +4 +4 共价键缺少1个电子 空穴 材料中空穴多于电子 +3 +4 +4 P型半导体 2013/9/22 模拟电子学基础 5 复旦大学电子工程系 陈光梦 杂质半导体中的载流子浓度  多数载流子（简称多子）基本上由掺杂形 成，所以多子浓度接近掺杂浓度  少数载流子（简称少子）由本征激发形成  多子浓度远大于少子浓度  若在一块半导体材料中 同时掺入施主杂质 和受主杂质 ，则产生杂质补偿作用，杂质 半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定 2013/9/22 模拟电子学基础 6 复旦大学电子工程系 陈光梦 载流子的运动  扩散 载流子浓度梯度作用下载流子定向运动 扩散电流的大小取决于载流子浓度梯度以及载 流子的扩散系数  漂移 外电场作用下的载流子定向运动 迁移率：平均漂移速度的比例因子，空穴和电 子的迁移率分别记为μ 和μ