2.3 P-N 结直流电流-电压特性.pdf

2.3 理想PN结的 2.3 理想PN结的 直流电流－电压特性 直流电流－电压特性 半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han 由于PN结具有单向导电性，因此可作为二极管 使用。 PN 结二极管的符号为： + − P区 N区 本节主要讨论： 1. 中性区与耗尽区边界处的少子的浓度与外加电压 的关系。这将被用做求解微分方程的边界条件。 2. PN 结耗尽区及两侧中性区内的载流子子浓度分布。 3. PN 结的正向电流、反向电流。 半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han 理想的P-N结的基本假设及其意义 外加电压全部降落在耗尽区上，耗尽区以外的半导 体是电中性的，这意味着忽略中性区的体电阻和接 触电阻。 均匀掺杂。 空间电荷区内不存在复合电流和产生电流。 V V T V V T p p e n n e P n n 0 n 小注入，即 和 P0 n 0 p p 0 半导体非简并 半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han 一、PN结正向偏置下的电流－电压特性 1、正向偏压下载流子的运动情况 外加电场 内建电场 P N 平衡时 外加正向电压时 ε 面积为 ψ0 面积为 ψ −V 0 x 0 半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han 外加正向电压V 后，PN结势垒高度由 qψ0 降 q 为 Vψ −( ) , W 与 ε 均减小，使扩散电流大于漂移 0 m 电流，形成净的正向电流。 由于正向电流的来源是N 区电子和P 区空穴，他 们都是多子，所以正向电流很大。 正向注入：正偏压使PN结N 区多子电子从N 区向P 区 扩散，使P 区多子空穴从P 区向N 区扩散 （这些载流子 在进入对方区域之后成为对