半导体器件模拟第三篇.pdf

第三章 一维PN结的模拟 2 主要内容 3 ．1 基本方程及边界条件 3 ．2 网格划分及差分离散 3 ．3 PN结稳态特性求解的非耦合法 3 ．4 PN结稳态特性求解的耦合法 3 ．5 变量初值的选取 3 ．6 PN结瞬态特性的求解 3 ．7 PN结特性的模拟结果 3 3.1基本方程及边界条件 3 ．1．1 器件模型 图3.1 给出了PN 结二极管的一维 结构，在这种结构中，掺杂浓度是坐 标x 的函数，即， N P N(x) = N (x) - N (x) (3.1) d a 为了简化分析和模拟计算，我们特作 0 x 如下假设： L 半导体材料满足非简度条件，载 流子浓度由玻尔兹曼条件决定。 图3.1 PN结二极管的一维结构 在0 ~ L 内半导体的温度是一常 数。 杂质全部电离。 4 3.1基本方程及边界条件 3 ．1．2 基本方程 ∂n ∂ϕ J qD q n ∂n 1 ∂J n n − μn ( 3 .5 ) n +G −R (3.2) ∂x ∂x ∂t q ∂x − ∂p ∂ϕ J p qD p − q μp p ( 3 .6 ) ∂x ∂x ∂p 1 ∂J p ∂E − +G −R (3.3) J J n + J p + ε l ( 3 .7 ) ∂t q ∂x ∂t ∂J 2 0 ( 3 .8 ) ∂ϕ q 2 − (N +p −n) (3.4) ∂x ∂ x ε