PN接正向压降与温度的关系.docx

西北大学 物 理 实 验 报 告 院系：物理学系 专业：物理基地班 姓名：张辉 学号：2009112026 成 绩 实验名称：PN结正向压降与温度关系 一、实验目的： 1.了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。 2.在恒流条件下，测绘PN结正向压降随温度变化的曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。 3.学习用PN结测温的方法。 二、实验仪器及用具 TH-J型PN结U-T特性试验台，TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪等。 三、实验原理 理想的PN结的正向电流IF和正向压降VF存在如下近似关系式： （1） 其中q为电子电荷；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；IS为反向饱和电流，它是一个PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明： （2） 其中C是与结面积、掺质浓度等有关的常数；r也是常数；Vg（0）为绝对零度时PN结的导带底和价带顶的电势差。 将（2）式代入（1）式，两边取对数可得 （3） 其中， 方程（3）就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是PN结温度传感器的基本方程。 令IF = 常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（3）中还包含非线性项Vn1。 下面来分析Vn1项所引起的线性误差。 设温度由T1变为T时，正向压降VF1由变为VF，由（3）式可得 （4） 按理想的线性温度响应，VF应取如下形式 （5） 等于T1温度时的值。 由（3）式可得 （6） 所以 (7) 由理想线性温度响应（7）式和实际响应（4）式相比较，可得实际响应对线性的理论偏差为 （8） 设T1=300 K，T1=310 K，取r=3.4，由（8）式可得 △=0.048mV，而相应的VF的改变量约20 mV，相比之下，误差很小。不过当温度变化范围增大时，VF温度响应的非线性误差将有所递增，这主要是由于r因子所致。 综上所述，在恒流供电条件下，PN结的VF对T的依赖关系取决于线性项V1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的理论依据。 在以上的分析中，温度T是热力学温度，在实际使用时会有不便之处，为此，我们进行温标转换，采用摄氏温度t来表示。 即T=273+t。 令在室温时的值为，则在时的值为： （9） 代入公式（3），有： （10） 设温度在tR℃时，，则有： （11） 而对于其它的温度t，则有： （12） 定义S为PN结温度传感器灵敏度，则有 或 （13） 这就是PN结温度传感器在摄氏温标下的测温原理公式 必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离、本征激发可以忽略的温度区间（对于通常的硅二极管来说，温度范围约：-50℃～150℃）。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加，VF-T关系将产生新的非线性，这一现象说明VF-T的特性还随PN结的材料而异，对于宽带材料（如GaAs，Eg为1.43eV）的PN结，其高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能力小（如Insb）的PN结，则低温端的线性范围宽。对于给定的PN结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围内，其线性度也随温度的高低而有所不同，这是非线性项Vn1引起的，由Vn1对T的二阶导数 可知， 的变化与T成反比，所以VF-T的线性度在高温端优于低温端，这是PN结温度传感器的普遍规律。 此外，由（4）式可知，减小IF，可以改善线性度，但并不能从根本上解决问题，目前行之有效的方法大致有两种： 1.利用对管的两个be结（将三极管的基极与集电极短路，与发射极组成一个PN结），在不同电流IF1、IF2下工作，由此获得两者之差（VF1-VF2）与温度成线性函数关系，即 （14） 由于晶体管的参数有一定的离散性，实际值与理论值仍存在差距，但与单个PN结相比，其线性度与精度均有所提高，这种电路结构与恒流、