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SOI高温压力传感器的研究现状
第 卷 第 期 河 北 工 业 大 学 学 报 年 月
34 2 2005 4
Vol.34 No.2 JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY April 2005
文章编号：1007-2373 (2005) 02-00 14-06
SOI 高温压力传感器的研究现状
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张书玉 ，张维连 ，张生才 ，姚素英
（1. 河北工业大学 半导体材料研究所，天津 300 130 ；2. 天津大学 微电子研究所，天津 300072 ）
摘要： ( ) 高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器，具有耐高温、抗辐射、稳
SOI silicon on insulator
定性好等优点，能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求，在高温领域有很大的潜
力．本文论述了 材料的制备方法特别是硅片直接键合技术 ( )，简单介绍了 压力传感器的优势、制
SOI - SDB SOI
作工艺以及 压力传感器的发展现状．
SOI
关 键 词：压力传感器； ； 层；各向异性腐蚀；硅片直接键合；硅单晶片
SOI SiO2
中图分类号： 文献标识码：
TP2 12 A
The Research Status of SOI High-temperature Pressure Sensor
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ZHANG Shu-yu ，ZHANG Wei-lian ，ZHANG Sheng-cai ，YAO Su-ying
( 1. Semiconductor Material Institute, Hebei University of Technology, Tianj in 300130, China; 2. School of Electronics and Information
Engineering, Tianj in University, Tianj in 300072, China )
Abstract ：High temperation SOI (silicon on insulator) pressure Sensor is a novel senmiconductor pressure sensor , it
has the advantages of resisting high temperature, radiation and good stability.can meet the needs in some harsh enviroment,
such as in the oil refining industry, automotiv
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