硅集成电路工艺基础第三章.ppt

3.3.3 两步扩散 实际的扩散温度一般为900-1200℃，在这个温度范围内，杂质在硅中的固溶度随温度变化不大，采用恒定表面源扩散很难通过改变温度来控制表面浓度，而且很难得到低表面浓度的杂质分布形式。 两步扩散：采用两种扩散结合的方式。 第一步称为预扩散或者预淀积：在较低温度下，采用恒定表面源扩散方式。在硅片表面扩散一层数量一定，按余误差函数形式分布的杂质。由于温度较低，且时间较短，杂质扩散的很浅，可认为杂质是均匀分布在一薄层内，目的是为了控制扩散杂质的数量。 第二步称为主扩散或者再分布：将由预扩散引入的杂质作为扩散源，在较高温度下进行扩散。主扩散的目的是为了控制表面浓度和扩散深度。 两步扩散后的杂质最终分布形式： D预t预D主t主，主扩散起决定作用，杂质基本按高斯函数分布。 3.4、影响杂质分布的其他因素 前面求解扩散方程时，作了一些理想化的假设，且影响杂质扩散的某些因素没有考虑，实际扩散杂质的分布与理论计算的结果有一定的差异，随着集成度的提高，器件尺寸越来越小，杂质扩散深度越来越浅，需要考虑影响杂质分布的其它因素。 硅中的点缺陷 杂质浓度对扩散系数的影响 氧化增强扩散 发射区推进效应 3.4.1 硅中的点缺陷 实验发现硅中杂质原子的扩散，除了与空位有关外，还与硅中其他类型的点缺陷有着密切的关系。 硅中的点缺陷分为三类： 替位缺陷：是指位于晶格位置上的杂质原子，用A表示。 空位缺陷：是指晶格位置上缺失一个硅原子，用V表示。 间隙类缺陷：包括自间隙缺陷和间隙原子团。 自间隙缺陷：硅晶格间隙位置上的硅原子，用I表示。 间隙原子团：是由两个或两个以上的间隙原子形成。组成间隙原子团的两个原子可以都是硅原子(I缺陷)；或者是一个硅原子和一个掺杂原子(AI缺陷)。 杂质与空位的反应： 替位型杂质扩散机制：杂质原子运动到近邻的空位上 Ai：间隙位置上的一个杂质原子 AV：空位附近的一个杂质原子 AI：间隙原子团中的一个杂质原子 在扩散的过程中，晶格上的杂质原子（A）与缺陷之间的结合方式为：AV，AI，Ai，可用以下反应来描述。 一个间隙硅原子把一个处在晶格位置上的替位杂质“踢出”，使这个杂质处在晶体间隙位置上，而这个硅原子却占据了晶格位置。 硅原子“踢出” 处在晶格位置上杂质的示意图 替位杂质与间隙的反应： 被“踢出”的杂质以间隙方式进行扩散运动。当它遇到空位时可被俘获，成为替位杂质； 也可能在运动过程中“踢出”晶格位置上的硅原子进入晶格位置，成为替位杂质，被“踢出”硅原子变为间隙原子。 原来认为B和P是只能靠空位机制才能运动的杂质，实际上，考虑到点缺陷，B和P是靠空位扩散和间隙扩散两种机制进行扩散运动的。 “踢出” 与间隙机制扩散示意图 3.4.2 扩散系数与杂质浓度的关系 前面的求解扩散方程时，都假定扩散系数是与杂质浓度无关的常数，但实验发现扩散系数与杂质浓度是有关的。 只有当杂质浓度比扩散温度下的本征载流子浓度低时，才可认为扩散系数与掺杂浓度无关，这种情况的扩散系数叫做本征扩散系数，用Di表示。 把依赖于掺杂(包括衬底杂质和扩散杂质)浓度的扩散系数称为非本征扩散系数，用De表示。 Ⅲ、Ⅴ族元素在硅中扩散运动的理论是建立在杂质与空位相互作用的基础上，即杂质原子通过跳入邻近的空位实现扩散，因此，扩散系数和空位浓度成正比。 扩散系数依赖于杂质浓度的一种可能的解释是：掺入的施主或受主杂质诱导出大量荷电态空位，空位浓度增加，因而扩散系数增大。 硅中的荷电态空位主要有四种：V0，V+，V-，V2-。其中V0浓度不依赖于杂质浓度，而 V+、 V-和 V2-与掺杂浓度有关。 空位的能带图如图。 扩散系数与杂质浓度有关的原因 在低掺杂情况下，硅中各种空位的实际浓度是非常低的，可认为各种荷电空位之间不发生相互作用，总的扩散系数就是各跳跃过程单独贡献的扩散系数之和。 其中 分别表示杂质通过与V0，V+，V-，V2-空位作用的扩散系数。 在高掺杂情况下，非本征扩散系数可以看成是杂质与各种荷电空位相互作用所贡献的扩散系数的总和，差别仅在于各种荷电空位对扩散系数的相对贡献发生了变化。在高掺杂情况下的扩散系数为： 3.4.3 氧化增强扩散 杂质在氧化气氛中的扩散，与中性气氛相比，存在明显的增强，这种现象称为氧化增强扩散(OED)。 杂质硼和磷的增强现象最为明显，杂质砷也有一定程度的增强，