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外延生长;外延生长【epitaxial growth】??在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的一薄层单晶层的方法。 外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻。;生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺，常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中，也可采用红外辐照加热。 为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展：减压外延、低温外延、选择外延、抑制外延和分子束外延等。 ;外延生长可分为多种 按照衬底和外延层的化学成分不同，可分为同质外延和异质外延； 按照反应机理可分为利用化学反应的外延生长和利用物理反应的外延生长； 按生长过程中的相变方式可分为气相外延、液相外延和固相外延等。;非CVD技术;外延生长的类型：;分子束外延（MBE：molecular beam epitaxy ）：这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低(400-800℃) ，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子阱微结构材料。 ;外延生长分类;外延生长与掺杂技术的目的类似，都是形成具有一定导电类型和杂质浓度的半导体层，其质量要求主要有下面几条： 1、具有一定的厚度，且厚度均匀。 2、掺杂浓度(表现为电阻率)均匀并符合设计要求。 3、位错、层错、麻坑、雾状缺陷、伤痕等缺陷尽量少 4、杂质分布满足要求。;外延生长前处理——衬底清洗 硅外延（Epitaxial Si）生长 掺杂引入 外延生长缺陷 GaAs外延生长 金属有机物CVD 分子束外延生长 小结;衬底清洁：;衬底清洁方法：;a：于1000℃以上的高温，在氢气中预热，使原生二氧化硅形成可挥发性的一氧化硅和水气，再同氯化氢气体反应去除一层薄的硅以清除可能残留的杂质。 SiO2（s）+H2（g）＝SiO（g）+H2O（g） Si（s）+2HCl（g）＝SiCl2（g）+H2（g） b：在高于850℃以上的温度，在超高真空中用Ar溅射或Ar/H2蚀刻使原生二氧化硅脱附，再高温退火以消除产生的缺陷。 c：在稀释或缓冲的HF溶液中漂洗，时间小于10秒。;脱水性检验法：裸硅表面水会很快流掉，如果硅表面有氧化层，水流走得较慢，会有几分钟的含水状态。对于有图形的圆片，若裸硅的面积足够大，也可以用此法检验;特点：缺陷少，性质佳，但制备温度最高，难度最高，因此在工业应用上受限。 应用：生长较厚的膜（1-10μm）以在膜中制造二极元件和CMOS元件，一般用在IC的最前段 。;反应器：依反应气体流通方向相对于硅片方向可以分为水平式、垂直式、柱形。 ;生长过程：利用化学气体反应后产生硅原子吸附于基体表面，并移动到适当的晶格位置生长而成。 常用的反应气体：SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4等。;具体方法有以下两种： (1) 硅烷热分解 SiH4＝Si十2H2 优点：温度较低，可以在低达600℃下进行 缺点：均匀性差，无法避免均相成核形成的颗粒 ;(2)硅氯化物在加热的硅衬底表面与氢气反应还原出硅原子淀积在硅表面上。其反应为： SiCl4十2H2＝Si十4HCl 气体分子中氯原子的数目越少，所需的反应温度越低，现在SiH2Cl2（DCS）成为普遍使用的反应源。 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;硅氯化物外延生长的可能机理： （1）氢控制机理：淀积速率受限于氢从圆片表面释放的过程。在此模型中，大部分硅表面被H附着，这些H必须在硅原子彼此结合之前从表面释放出来。 （2）HCl控制机理：低温下是HCl，而不是H的 解吸附是限制生长速度的过程。 （3）SiCl2物理吸附机理;硅