SiO2载体表面原位合成MCM-41的结构特征.pdfVIP

维普资讯 第 2期 无 机 化 学 学 报 Vn1l8．No 2 2002年 2月 CHINESEJOURNA 【OFINORGANlCCHEMISTRY Feb ．2002 SiO载体表面原位合成MCM．41的结构特征 何 静 段 雪 。李成岳 朱月香 (。北京化工走学可控化学反应科学与技术基础教育部重点实验室．北京 100029) 【北京走学化学与分子工程学院，北京 100871) 以溶液硅源和表面硅源两种 台成路线在 sioz颗粒表面进行 了MCM一4l的原位合成 结果发现以两种方式均可得 到 MCM-4l的有序结掏。溶液硅源原位合成MCM-4I的长程结构较好．两种硅源娘位合成的MCM．41均能够在脱 除模板剂过程中 保持其长程有序结构。表而硅掘原位合成 MCM4【的孔径分布较窄．最可几孔径为 38lnm。本文还考察了OH／CTABr及 SiO：／ OH