太阳电池发展史.pdfVIP

識 錄路 /index.htm 1954 年 Bell 來 率 6% 1957 年 聯 1969 年陸 說 類歷 金不 量 年來不例 Motorola (Iridium) 66 (LEO) Bill Gates Teledesic 840 LEO都 類都 23 量不 不來量 力3.10 kW 若 里 離 1.1014 kW 力若 不 連 兩率 - 都 流量 () 了- 洞量量 率25% 來 率 理論量 不易 不 益 降 1. CZ FZ (Silicon Ingot Casting) 2. 不輪 切 切省 30 % 料 3. ASE America Edge-defined Film-fed Growth(EFG) 拉 拉利雷 切 110 2 省 料切 4. 量省料 力 料 (a-Si) (Copper Indium Diselenide,CISe2) (CdTe) 力 量 列 1. 率 2. 度 600度 C 1 3. 度 4. 粒(Grain Size) 5. 數度 量 量 (Solar Cell) 理度來 (Photovoltaic PV) photo (light) voltaic 力(electricity) 類 若 料 類來 (single crystal silicon) (polycrystal silicon) (amorphous silicon a-Si) -[ (GaAs) (InP) (InGaP) ] -[ (CdTe) (CuInSe )] 1954 年 來 不率( 6%) (357 / ) 類歷 不 1957 年聯 行 1969 年陸 說 了 1970 年 不不度 力行1990 年 聯 (grid-connected photovoltaic system) 念 力連兩 力了 力 力 立 力年來 不來不降 率力來 理 1930 年 流 了流 1954 年 來率 6% 理 來說 列 (Si) 14 2 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 10 (1s2 2s2 2p6 ) 4 (3s2 3p2 )量 離 (diamond crystal structure) 例(B) 洞 洞(carrier) 洞 (acceptor) p 理 例(P) (donor) 了 n 量 p(substrate) 度略 p p-n p-n 離離離 (built-in potential) (depletion region) p-n 量 來- 洞洞 洞 (load)連來路 (loop) 流流 理 了流 1. 拉 料利 拉爐