第十一章 红外探测器材料.pdfVIP

红外探测器材料 ——电子材料导论课堂展示 材料学院 引 言 在现代战争所用电子装备中，红外热成像技术对提高 夜视、防空和侦察能起着十分重要的作用。20世纪70 年 代末期和80 年代初研制的第一代HgCdTe光导通用组件在 军事电子装备中得到了广泛应用，目前正面临着进一步提 高性能和降低成本的要求。为满足夜视、火控、侦察、 监视、精确制导和光电对抗等军事应用，需要发展高密 度的第二代焦平面探测器和第三代大规格、多色、非制 冷的焦平面探测器，这对红外探测器及其材料提出了新 的更高的要求，必须提高原有探测器材料的性能，并开 发新型的材料。 材料学院 红外探测器的发展历程 • 进入20 世纪90 年代以后，采用MBE 技术实现了材料的能 带工程构造技术，该技术在Ⅲ- Ⅴ族半导体材料的能带构造 技术方面进展迅速，并取得了重要进展。材料能带工程的 进展在红外领域引发了2次新材料热潮. • 第1 次是在1990～2000 年期间，出现了以AlGaAs/GaAs 为 代表的第一类超晶格红外探