半导体器件原理简明-第5章.pdfVIP

半导体器件原理简明教程 半导体器件原理简明教程 半导体器件原理简明教程 第第5章章 金属半导体接触和异质结金属半导体接触和异质结 第第 章章 金属半导体接触和异质结金属半导体接触和异质结 作者作者：傅兴华：傅兴华 陈军宁等陈军宁等 作者作者：：傅兴华傅兴华 陈军宁等陈军宁等 单位单位：贵州大学：贵州大学、安徽大学、安徽大学 单位单位：：贵州大学贵州大学、、安徽大学安徽大学 制作时间制作时间：：2010年年10月月 制作时间制作时间：： 年年 月月 科学出版社 高等教育出版中心 理想金属—半导体接触 理想金属理想金属--半导体接触的基本假定半导体接触的基本假定 理想金属理想金属--半导体接触的基本假定半导体接触的基本假定 ①① 金属半导体直接接触金属半导体直接接触，没有任何中间介质层，没有任何中间介质层；； ①① 金属半导体直接接触金属半导体直接接触，，没有任何中间介质层没有任何中间介质层；； ②② 没有界面态没有界面态。。 ②② 没有界面态没有界面态。。 2010-11-8 科学出版社 高等教育出版中心 2 理想金属—半导体接触 理想金属理想金属n硅半导体接触前的能带图硅半导体接触前的能带图(φφ φφ ) 理想金属理想金属 硅半导体接触前的能带图硅半导体接触前的能带图 φφm φφs 2010-11-8 科学出版社 高等教育出版中心 3 理想金属—半导体接触 理想金属理想金属n硅半导体接触平衡态能带图硅半导体接触平衡态能带图(φφ φφ ) 理想金属理想金属 硅半导体接触平衡态能带图硅半导体接触平衡态能带图 φφm φφs 肖特基势垒 φB0 = φm − χ 半导体表面接触电势差 V = φ −φ bi m s 半导体表面耗尽层宽度 2εε V 1/ 2 W = ( 0 bi ) qND 2010-11-8 科学出版社 高等教育出版中心 4 理想金属—半导体接触 理想金属理想金属n硅半导体接触正偏能带图硅半导体接触正偏能带图(φφ φφ ) 理想金属理想金属 硅半导体接触正偏能带图硅半导体接触正偏能带图 φφm φφs 2010-11-8 科学出版社 高等教育出版中心 5 理想金属—半导体接触 理想金属理想金属n硅半导体接触反偏能带图硅半导体接触反偏能带图(φφ φφ ) 理想金属理想金属 硅半导体接触反偏能带图硅半导体接触反偏能带图 φφm φφs 2010-11-8 科学出版社 高等教育出版中心 6 理想金属—半导体接触 理想金属理想金属p硅半导体接触平衡态能带图硅半导体接触平衡态能带图(φφ φφ ) 理想金属理想金属 硅半导体接触平衡态能带图硅半导体接触平衡态能带图 φφm φφs 2010-11-8 科学出版社 高等教育出版中心 7 理想金属—半导体接触 理想金属理想金属p硅半导体接触正偏和反