硅材料选择题精选.doc

1硅单质是_A__。 A半导体 B导体 C绝缘体。 2只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是__C__。 A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷 3 下列是晶体的是__B__。 A玻璃 B硅 C松香 D塑料 4晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是__A__。 A固相生长 B液相生长 C气相生长 5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。 A90% B92% C95% D97% 6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A. A低，好，多 B 低，好，少 C低，差，多 D高，好，多 7在工业生产中广泛用的是___C___。 A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗 8.半导体硅工业产品不包括__D__. ①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅 A.①②④ B.①②③④ C.②③④ D.③④ 9.硅片制备主要工艺流程是__A__。 A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包 D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包 10.下列说法错误的是__A__。 A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大 B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦 C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D.增大坩埚内径与晶体直径的比值 如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（ ） 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长 加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长 加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长 多晶硅的生产方法主要包含：（ ） 1、SiCl4法 2、硅烷法 3、流化床法 4、西门子改良法 5 、冶金法 6、气液沉淀法 7、重掺硅废料提纯法 A、1234 B、123 C、1456 D、4567 3、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（ ） A、3 B、5 C、4 D、2 4、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（ ） 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包 单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包 5、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（ ） A、分凝 B、蒸发 C、坩埚污染 D、损坏 6、属于晶体缺陷中面缺陷的是（ ） 位错 B、螺旋位错 C、肖特基缺陷 D、层错 7、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率( ) A、越高 B、不确定 C 、越低 D、 不变 8、用能量（ ）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。 A 、低于 B 、等于或大于 C 、大于 D 、小于或等于 9、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则（111）的面间距是多少？（ ） 0.786nm B 、 0.543nm C 、0.941nm D、 0.543nm 10、简述光生伏特效应中正确的是（ ） A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结； B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子； C、平衡载流子破坏原来的热平衡； D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。 答案 A A B A D DC B C D 1、属于晶体缺陷中面缺陷的是（B） A位错 B层错 C肖特基缺陷 D螺旋位错 2、单晶硅晶胞常数