章习题课 模电 武汉理工.ppt

* * * 模拟电子技术基础 当uI 18 V时，D1导通、D2截止 当12 V＜ uI ≤ 18 V时，D1、D2均导通 uO= uI uO=18 V + _ uO + _ uI 5 kW i1 R1 i2 R2 5 kW 6 V 18 V V1 V2 D1 D2 iD1 iD2 uO/V uI/V 12 18 30 12 18 0 3.4.2放大电路如题图（a）所示，其晶体管输出特性曲线题图（b）所示（不包含加粗线和细的输出电压波形线），已知 （各电容容抗可忽略不计）， （1）计算静态工作点； （2）分别作出交直流负载线，并标出静态工作点Q； （3）若基极电流分量 画出输出电压 的波形图，并求其幅值Vom 模拟电子技术基础 模拟电子技术基础 3.4.3分压式偏置电路如题图3.4.3（a）所示。其晶体管输出特性曲线如图（b）所示，电路中元件参数 ， 晶体管的 饱和压降 。 （1）估算静态工作点Q； （2）求最大输出电压幅值Vom； （3）计算放大器的 Av 、Ri、Ro和Avs； （4）若电路其他参数不变， 问上偏流电阻Rb2 为多大时， 模拟电子技术基础 (1) （2）UCEQ=8V， R‘LICQ=1.5*4 = 6V 模拟电子技术基础 模拟电子技术基础 模拟电子技术基础 (3) 620 -121 620 -104 3.5.1 模拟电子技术基础 模拟电子技术基础 图3.5.1 3.6.1 Rb1//Rb2(1+β)Re? 模拟电子技术基础 题图3.6.1 模拟电子技术基础 3.7.1 模拟电子技术基础 题图3.7.1 模拟电子技术基础 模拟电子技术基础 模拟电子技术基础 模拟电子技术基础 模拟电子技术基础 图3.9.3 在图示电路中，已知晶体管T1、T2的电流放大系数β1 ＝β 2＝50,UBE1=UBE2=0.7 V。稳压管的稳定电压UZ＝4.7 V。 T2 +12V UO T1 R IC2 +VCC IC1 (1) 试计算电路各级的静态工作点值; (2) 如IC1由于温度的升高而增加1％，试计算输出电压Uo变化多少？ T2 +12V UO T1 R IC2 +VCC IC1 [解] (1) 由图可知 其中 T2 +12V UO T1 R IC2 IB2 +VCC IB1 I1 IC1 I2 UCE1 UBE1 UBE2 T2 +12V UO T1 R IC2 IB2 +VCC IB1 I1 IC1 I2 UCE1 UBE1 UBE2 T2 +12V UO T1 R IC2 IB2 +VCC IB1 I1 IC1 I2 UCE1 UBE1 UBE2 故 T2 +12V UO T1 R IC2 IB2 +VCC IB1 I1 IC1 I2 UCE1 UBE1 UBE2 又由于 T2 +12V UO T1 R IC2 IB2 +VCC IB1 I1 IC1 I2 UCE1 UBE1 UBE2 T2 +12V UO T1 R IC2 IB2 +VCC IB1 I1 IC1 I2 UCE1 UBE1 UBE2 (2) 由题意知，温度升高后IC1增加1％，故各级的静态值为 T2 +12V UO T1 R IC2 IB2 +VCC IB1 I1 IC1 I2 UCE1 UBE1 UBE2 T2 +12V UO T1 R IC2 IB2 +VCC IB1 I1 IC1 I2 UCE1 UBE1 UBE2 可见，即使没有输入信号，输出端的电压也会由于温度的变化而忽高忽低地变化，这就是零点漂移。 输出电压比原来提高了 模拟电子技术基础 可 可 不可 不可 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 习题课 模拟电子技术基础 2.1.1 试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设Is = 10 uA） 正向偏置VD=0.26V时 反向偏置VD=-1V时 2.1.3 重复题2.1.2，设二极管均为恒压降模型，且导通电压VD＝0.7V。 UO1 = 1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈1.3V UO