集成电路设计基础1.ppt

集成电路设计基础 主讲教师：王永 电话E-mail:yongw@ 课程背景 学习目的 教学内容 主要参考书目及常用网址 第1章 集成电路设计概述 1.1 集成电路(IC)的发展 1.2 集成电路设计流程和设计环境 1.3 集成电路制造途径 1.4 集成电路设计需要的知识范围 第2章 集成电路材料、结构与理论 第2章 集成电路材料、结构与理论 2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 2.1 了解集成电路材料 2.1.1 衬底材料 2、 砷化镓 3、 磷化铟 2.1.2 绝缘材料 2.1.3 金属材料 2.1.4 多晶硅 2.1.5 材料系统 2.2 半导体基础知识 2.2.1 半导体的晶体结构 2.2.2 本征半导体与杂质半导体 2.3 PN结与结型二极管 2.3.1 PN结的扩散与漂移 2.3.2 PN结型二极管 2.3.3 肖特基结二极管 2.3.4 欧姆型接触 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管的基本结构与工作原理 2.5.1 MOS晶体管的基本结构 2.5.2 MOS管的工作原理 2.5.3 MOS管的伏安特性(静态特性） 小结 小结 小结 作业 PMOS管工作原理 第3章 集成电路基本工艺 3.1 外延生长（Epitaxy) 3.2 掩膜版的制造 3.3 光刻原理与流程 一、晶圆涂光刻胶 3.3.1 光刻步骤 3.3.2 曝光方式 第4章 集成电路器件工艺 4.1.1 双极型硅工艺 GaAs 基 HBT InP 基 HBT Si/SiGe的HBT 4.2 MESFET和HEMT工艺 HEMT 与Si三极管相比，MESFET和HEMT的缺点为: 跨导相对低; 阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度； 驱动电流小； 阈值电压变化大：由于跨导大，在整个晶圆上，BJT的阈值电压变化只有几毫伏，而MESFET，HEMT由于跨导小，要高十倍多。 4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺 PMOS管工作原理 4.3.1 PMOS工艺 4.3.2 NMOS工艺 4.3.3 CMOS工艺 4.4 BiCMOS工艺 第五章 MOS 场效应管的特性 5.1 MOS场效应管5.1.1 MOS管伏安特性的推导 5.1.2 MOSFET电容的组成 5.1.3 MOS电容的计算 5.2 MOSFET的阈值电压VT 5.3 MOSFET的体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小(Scaling-down) 采用恒电场CE缩减方案, 缩减因子为?(1)时, 电路指标变化。 MOSFET特征尺寸按?(?1)缩减的众多优点： 电路密度增加?2倍 功耗降低?2倍 器件时延降低?倍 ?器件速率提高?倍 线路上的延迟不变 优值增加?2倍 这就是为什么人们把MOS工艺的特征尺寸做得一小再小，使得MOS电路规模越来越大，MOS电路速率越来越高的重要原因。 5.7 MOS器件的二阶效应 5.7.1 L和W的变化 5.7.2 迁移率的退化 1） 特征迁移率?0 ?0与制造工艺密切相关。它取决于表面电荷密度，衬底掺杂和晶片趋向。?0还与温度T有关，温度升高时，?0就降低。如果从25℃增加到100℃，?0将下降一半。因而，在MOS管正常工作温度范围内，要考虑?0是变化的。 5.7.3 沟道长度调制 5.7.4 短沟道效应引起门限电压变化 5.7.5 狭沟道引起的门限电压VT的变化 小结 5.1 MOS场效应管：伏安特性、电容 5.2 MOS管的阈值电压VT：掺杂浓度、栅氧厚度 5.3 体效应：衬底未直接接地 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声：热噪声、闪烁噪声 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小：原理、影响 5.7 MOS器件的二阶效应：L和W的变化、迁移率的退化、沟道长度的调制、短沟道效应、狭沟道效应。 第6章集成电路器件 6.1 无源器件结构 6.1.1 互连线 6.1.2 电阻 6.1.3 电容 6.1.4 电感 6.1.5 分布参数元件 第7章 版图设计 7.1 工艺流程定义 7.2 版图几何设计规则 N阱：制作PMOS管的Nwell尺寸 NCOMP/PCOMP：有源区 多晶硅 ： 接触孔 ： 金属 过孔 ： 键合点（PAD） 7.3 图元 1. NMOS和PMOS 2. 电阻(Resistor) 3