金属_半导体接触理论介绍.ppt

金屬_半導體接觸理論 場效電晶體FET 電晶體的分類 主要可分為雙極性接面電晶體與場效應電晶體兩大類，一般場效電晶體(Field Effect Transistor，FET)和雙極電晶體一樣，都具有三隻接腳，不過工作原理卻完全不同。 FET的種類 一是逆向偏壓的PN接面，稱為接面場效電晶體(junction field effect transistor，簡稱JFET)。 另一種是閘極金屬、絕緣氧化物和半導體形成類似電容的結構，稱為金屬氧化物半導體場效應電晶體(金氧半場效電晶體metal-oxide-semiconductor field effect transistor，簡稱MOSFET)。 接面型場效應電晶體JFET之構造 VDS 再繼續增加，通道被夾止的長度△L 會略微變大，但和總長度L 相比幾乎可以忽略，和源極連接的導電通道的長度及形狀和VDS 關係不大，也就是說導電通道的電阻在這個操作偏壓範圍是固定的。 閘極與圖5 (d)中之X 點（指在導電通道最靠近被夾止區域空乏區的點）的電位差維持在VP，和VDS 也無關，通道兩端的電位差VXS 維持不變(=VDSS)，所增加的VDS 大部分都降在△L 範圍內之空乏區。綜合上述討論，當VDS 增加到比VGS-VP(=VDSS)大以後，導電通道電阻與其端電壓都與VDS 無關，通過的電流ID，當然也與VDS 無關，故ID 對VDS 圖呈一水平直線。這個操作區間稱為恆流(constant-current)區或飽和(saturation)區，這裡要注意和前面BJT 的飽和區完全無關。對應VDS 比VGS-VP(=VDSS)小的區域，ID 會隨VDS 改變，較像電阻的特性，稱為線性(linear)區或歐姆(ohmic)區。 金屬氧化物半導體場效應電晶體 場效電晶體的應用 FET 和BJT 一樣，可以用作開關或放大器，利用閘極的電壓訊號，控制源極和汲極間的電流。 JFET 和MOSFET 使用的場合略有不同。JFET 可用作類比開關及訊號放大器，特別是低雜訊的放大器，但很少用在數位電路中的邏輯運算及功率放大器； MOSFET 用途較廣，除一般的開關、訊號放大及功率放大器外，在數位電路及記憶體等大型積體電路方面，都是MOSFET的天下，特別是將NMOS 及PMOS 製作在同一晶圓，稱做CMOS(complementary MOS)的技術，或稱互補式金氧半電晶體技術 CMOS互補式金氧半電晶體技術 CMOS邏輯電路的發明 這種結構最大的好處是理論上不會有靜態的功率損耗，只有在邏輯閘（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯閘最基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯閘的基本操作都如同反相器一樣，同一時間內必定只有一種電晶體（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態下，另一種必定是截止狀態，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節省了電流或功率的消耗，也降低了積體電路的發熱量。 MOSFET的尺寸縮放 基於以下幾個理由，我們希望MOSFET的尺寸能越小越好。 1.越小的MOSFET象徵其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那麼這個問題就可以解決。 2.MOSFET的尺寸變小意味著,閘極面積減少，如此可以降低等效的閘極電容。此外，越小的閘極通常會有更薄的閘極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓閘極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而MOSFET在尺寸縮小後的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。 3.MOSFET的面積越小，製造晶片的成本就可以降低，在同樣的封裝裡可以裝下更高密度的晶片。一片積體電路製程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果晶片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產出更多的晶片，於是成本就變得更低了。 MOSFET尺寸縮小所產生的問題： 晶片內部連接導線的寄生電容效應主宰邏輯閘的切換速度。如何減少這些寄生電容，成了晶片效率能否向上突破的關鍵之一。 當晶片上的電晶體數量大幅增加後，有一個無法避免的問題也跟著發生了，那就是晶片的發熱量也大幅增加。 閘極氧化層漏電流增加，閘極氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導體製程中，甚至已經做出厚度僅有1.2奈米的閘極氧化層，大約等於5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規範的世界內，例如電子的穿隧效應。因為穿隧效應，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁而產生漏電流，這也是今日積體電路晶片功耗的來源之一。 製程變異更難掌控，現代的半導體製程工序複雜而繁多，任何