金属半导体与半导体异质接面介绍.ppt

金屬半導體接面 金屬半導體接面 之前所提之pn接面為相同材料，只是摻雜種類不同的半導體相接。 金屬半導體接面：可分為有整流作用的蕭特基位障（Schottky barrier）以及非整流特性的歐姆接面(Ohmic contact)。 能帶關係（以n型半導體為例，假設?m>?s） 能帶關係（假設?m>?s） 能帶關係（續） 蕭特基接面分析 接面電容 接面電容（續） 能帶關係(續) 對金屬與p型半導體接面而言，蕭特基位障為： 界面態階對位障之影響 界面態階對位障之影響（續） 假設界面態階界面態階密度為定值，為Dit(states/cm2-eV)： 考慮兩個特殊狀況： 情況一：Dit??，可得 情況二： Dit??0，可得 7.1.2 The Schottky Barrier電流電壓關係 主要由於多數載子，和pn接面不同。 主要傳導機構為熱離子發射—半導體中之電子越過位障而達到金屬。 電流電壓關係（續） 熱平衡狀態下，電子濃度為： 電子電流正比於表面電子濃度 順向偏壓下，電子濃度為： 故順向偏壓下的淨電流為： 電流電壓關係（續） 電流電壓關係（續） 蕭特基接面二極體與pn二極體的比較 電流產生機制不同： 頻率響應不同： 7.1.3 The Ohmic Contact歐姆接面 此種金屬半導體接面雙向皆可導通，且其接觸電阻遠小於半導體的串聯電阻，當電流通過時，其壓降可忽略。 有兩種方式可形成： 半導體為低濃度摻雜時……… 以n型半導體為例，使用?m < ?s的金屬材料；以p型半導體為例，使用?m > ?s的金屬材料，降低位障。 半導體為高濃度摻雜時………減少位障寬度，產生穿透效應。 歐姆接面的能帶圖（ ?m<?s ） 歐姆接觸電阻（speccific contact resistance） ?m>?s時，電流為熱離子發射，故接觸電阻為： 高濃度摻雜時，電流為穿透電流： * * 功函數 電子親和力 相接時費米能階要相等，而且真空能階要連續。以金屬與n型半導體為例： 電子由半導體流向金屬，半導體區留下正的施體離子，形成空乏區。 真空能階：參考能階。 ?m：金屬的功函數。 ?s：半導體的功函數。 ?：半導體的電子親和力 從金屬層往半導體看之位障為： ?Bn又稱為蕭特基位障 從半導體層往金屬看之位障為Vbi 由圖可看出，Vbi = ?Bn - Vn 順向偏壓下，由金屬至半導體之位障不變，但是由半導體至金屬的位障減少；反之，逆向偏壓下，由金屬至半導體之位障不變，但是由半導體至金屬的位障增加。 熱平衡狀態 順向偏壓 逆向偏壓 (+) (-) (-) (+) 利用電荷分佈關係（對x積分），可求得電場分佈： 其中 可再求得內建電位之關係： 順向為正，逆向為負 空乏區之空間電荷面密度為： 單位面積空乏區電容為： 整理可得 以1/c2對偏壓作圖，為一斜直線，由斜率可求得摻雜濃度： 另由截距可求出Vbi 實際之位障與理想公式預測略有不同，主要因為實際之半導體有表面態階，會影響位障高度。一般說來，對矽與砷化鎵而言，?Bn的預測比實際低；?Bp的預測比實際高。 假設金屬與半導體接面中間有一層很薄的氧化層，電子仍能穿透。 ：因界面氧化層產生的位能差 假設在?0（表面電位）以上之界面態階為施體態階（即填有電子時為中性，空的時候帶有正電荷），以下為受體態階（即空的態階為中性，填滿電子時帶有負電荷）。 donor states acceptor states …….理想表示式 此時之位障只與能隙、表面電位有關，與金屬功函數、半導體的電子親和力無關。而費米能階變成在表面電位處，好像被釘住。 Dit無法精確預測，故蕭特基位障高需由實驗決定。 熱平衡狀態下，由金屬流向半導體的電子電流和由半導體流向金屬的電子電流相等，故淨電流為零。 電流電壓關係（續） 順向偏壓下，由金屬流向半導體的電子電流不變，但是由半導體流向金屬的電子電流因位障降低而增加，故有淨電流。 逆向偏壓下，由金屬流向半導體的電子電流不變，但是由半導體流向金屬的電子電流因位障增加而降低，只剩少許淨電流。 表面之Ec與EF的距離 故 此式逆向偏壓也可使用，將VF改為-VR即可。 其中 A＊稱為有效Richardson 常數（A/K2-cm2），與有效質量有關，因為可產生熱離子放射的電子濃度在計算時會用到gc(E)(傳導帶狀態密度)，故與m*有關。 熱離子發射下，電子淨電流可表示為 其中 飽和電流密度（順向偏壓時為正逆向偏壓時為負） n型矽為110，p型矽為32； n型砷化鎵為8，p型砷化鎵為74。 主要因半導體的有效質量不同所造成 少數載子會由金屬注入，產生的電流為： 其中 與p+n接面的擴散電流相同 在正常操作下少數載子的貢獻遠 小於多數載子所貢