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招 标 文 件 项目名称： 招标编号：HEPSTF-B8-020109/020110-16-017 中国科学院高能物理研究所 201年月 招标公告 第一章 投标人须知 1 第二章 合同主要条款评标方法 9 第三章 技术文件 16 第四章 投标格式 17 第五章 评标方法 26 中国科学院高能物理研究所 专用集成电路工艺与代加工服务公开招标公告 采购人：中国科学院高能物理研究所 采购项目名称：专用集成电路工艺与代加工服务 招标编号：HEPSTF-B8-020109/020110-16-017 招标产品内容： （一）项目名称：专用集成电路工艺与代加工服务 （二）数量： 以多项目晶圆（MPW）方式流片时，流片面积5mm*5mm；一次MPW流片提供50片芯片裸片。 以工程批晶圆方式流片时，使用常用掩膜完成电路设计，一次流片提供12片晶圆。 如代理商中标，MPW和工程批晶圆须由同一生产厂家完成。 （三）采购预算：150万元。 （三）项目简介： 1、设备用途、配置及特点 高能同步光源验证装置（以下简称HEPS-TF）是在“十二五”期间开展建设的大科学装置。其目的是根据未来将建设的高能同步辐射装置的设计目标及建设需求，通过分析各部分的关键技术和难点，提炼出可能制约未来建设以及进一步发展的核心关键技术，在验证装置中进行充分的研究和工程验证。中国科学院高能物理研究所承担了HEPS-TF中二维像素阵列探测器的研制任务。探测器将采用混合型像素探测器架构，利用硅像素传感器探测X光，通过像素读出芯片完成信号的前端转换和预处理，通过倒装焊的方式将传感器和读出芯片进行互联。 由于此前国内同类探测器完全依赖进口，为了实现完全的自主知识产权，需要对核心器件——像素读出芯片进行关键技术研发。芯片需要在百微米见方的像素面积内同时集成低噪声前放和高集成度数字电路，因此需要基于特征尺寸较小的混合电路工艺进行电路设计、工艺制造和芯片代加工；由于设计难度较高，需进行多个版本的芯片原型设计研发，因此要求电路工艺具有稳定的MPW设计服务和充分的班次支持；另外，完成原理样机后，还将通过批量生产提供产品供HEPS-TF多条线站使用，因此还要求电路工艺提供工程批流片的支持。 表1 指标 序号 技术要求 参数及指标 1 0.13um 2 工艺类型 混合信号工艺 3 MPW支持 生产商每年不少于3次MPW班车 4 量产支持 可进行工程批流片 5 晶圆尺寸 8英寸/12英寸可选 6 设计支持 提供成熟的基于Cadence Virtuoso设计平台的PDK设计库 7 器件支持 提供高精度高阻电阻、MIM电容、标准数字单元库和I/O引脚库 8 流片周期 ≤4个月 投标资格： （1）政府采购法第二十二条规定的资格条件。 （2）具有必要的生产设备和生产场地，有完成本项目加工、集成和检验测试的能力。 （3）或者生产商投标。生产商自己投标，或者委托唯一代理商进行投标。每个只能代一家须提供生产商的唯一代理授权书。4）具有类似项目研发的业绩，需提供可以证明具有生产研发业绩的材料。 （5）本项目不接受联合体投标。 （6）按本招标公告规定方式购买招标文件并登记。 （7）生产地点必须为中华人民共和国境内。招标文件发售时间：201年月日～201年月日（公休日除外） 每天9:00～11:00、14:00～16:30（北京时间） 招标文件发售地点：北京市石景山区玉泉路19号乙院（高能所） 如需邮购。款项（元人民币）汇出后，请将银行出具的汇款回单、地址、E-mail地址。我们收到后会立即将招标文件电子版用E-mail发给您。 xull@ 电 话：010 全 称：中国科学院高能物理研究所银行：中国工商银行北京永定路 账号0200 0049 0901 4451557 本信息刊登在中国政府采购网（）和我所网站（）上。  前 附 表 序号 名称 内 容 1 项目名称 2 招标编号 3 招标人 名 称：中国科学院高能物理研究所 住 所：北京市石景山区玉泉路19号乙院 联系人： 电 话： E-mail： 4 质量标准 符合国家标准和行业标准及本招标文件要求 5 招标范围 MPW流片提供50片芯片裸片 6 计划工期 7 交货地点 8 验收地点 9 投标人资质要求 详见招标公告。 10 投标有效期 自开标日起0天（日历天数） 11 投标保证金的金额：人民币15000元。 投标保证金的形式：电汇（开标日前三天办理）保证金从投标人基本存款账户汇出。 开户行：中国工商银行北京永定路支行 帐号：0200 0049 0901 4451557 投标保证金有效期：自开标日起90天（日历天数） 12 投标文件份