奈米碳管制程.DOC

內容 奈米碳管製程 奈米碳管常使用的碳原料有甲烷(CH4)、石墨(Graphite)、乙炔(C2H2)。 製作過程通常加入鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)…等過渡金屬元素作為觸媒以輔助成長，並可用來降低製程溫度，當通入不同的載流氣體，氮(Ar)、氫(H2)等，會改善所得到奈米碳管的產量、品質和特性，以下為常見的製程奈米碳管之方式： (1) 電弧放電法 : 電弧放電法是最早發現奈米碳管所使用的方法，適合用來大量生產奈米碳管，但是所製作出來的奈米碳管需要經過純化過程，把非晶質碳、C60、石墨碎片去除，才能得到純度高的奈米碳管，將兩直徑大小不同的石墨棒，當作陽極和陰極，通常陽極直徑比陰極直徑小，為了要得到單壁奈米碳管，可在陽極中的凹槽填入過渡金屬當作觸媒，陰極和腔體用冷水降溫，在兩極間通入10~30V 的電壓，大約100A 的電流(直流或交流都可)，真空腔體抽至100 mtorr 後導入氦氣使壓力維持在500torr，陽極和陰極的間隙約為1~3mm，兩極之間會產生電弧，利用電弧所產生的強大熱能，把陽極石墨在高溫之下汽化，陰極將會沉積許多的黑色碳沈積物，利用顯微鏡來觀察，在這之中包含了非晶質碳、奈米碳管、C60、石墨碎片等，之後將其純化去除，如圖一所示。 (2) 雷射汽化法 雷射汽化法是在1996 年被證實可以用來製造奈米碳管且有70%-90%高產量的奈米碳管，在石墨靶材中混合過渡金屬，把混合的石墨靶材放置在石英管中，通入鈍氣加熱至1200℃，再以脈衝雷射照射石墨靶材使其蒸發，再通入氬氣作為載流氣體，使蒸發的材料可以跟著載流氣體流動，而在出口利用銅金屬來冷卻、沉積蒸發物，就可以得到黑色碳沉積物，以顯微鏡觀察，可以得到的單壁奈米碳管和其它方法比較，雷射汽化法可以得到大量的單壁 奈米碳管，此方法的缺點為需要非常高的溫度下操作，如圖二所示。 (3) 熱分裂化學氣相沉積 : 化學氣相沉積法（CVD）是目前製單層奈米碳管最有效率的方法可應用於大表面積的生產或擁有多種產物型態的特質。…等碳氫化合物的氣體，通入高溫的石英管爐中反應， 這些氣體會因高溫而催化分解成碳(奈米顆粒)，吸附在矽(Si)基板沉積上金屬薄膜，然後將其用氫氟酸(HF)溶液的浸泡，在成長奈米碳管時，通入氨(NH3)氣體對觸媒薄膜來蝕刻形成的奈米顆粒，才能降低成長奈米碳管的溫度，再通入有機化合物，在高溫下分解有機化合物、經過裂結、沉積過程來合成出奈米碳管，如圖三所示。【6】 奈米碳管的特性 奈米碳管因長度單位為奈米級，所以其特性不同於一般認之的碳特性，奈米碳管擁有強度高、密度高、熱傳導高、韌性高、機械性高、質量輕，所以綜合以上的特性，而衍生出許多新奇的應用，雖然目前的研究並未發展成熟，但可想而知奈米碳管將成為未來的新興材料之一。 又因奈米碳管為人工合成的最細管子，以機械性質而言，單壁奈米碳管的強度約為鋼的 10 ~ 100 倍，但重量僅有鋼的六分之一，其比強度〈強度 / 密度〉較鋼高，是質輕且機械強度高的物質 圖二 雷射汽化法【6】 圖三 化學氣相沉積法【6】