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 集成电路制造技术 Manufacturing Technology of IC School of Microelectronics Xidian University 2012.9 第三章 扩散 掺杂工艺（扩散与离子注入） 基本思想:通过某种技术措施，将一定浓度的Ⅲ价元素B，或Ⅴ价P、As等掺入半导体衬底。通过掺杂可在硅衬底上形成不同类型的半导体区域，构成各种器件结构。 目的：改变半导体的电特性 定义: 用人为方法，将所需的杂质，以一定方式掺入到半导体基片规定的区域内，达到规定的数量和符合要求的分布。 应用：制作①PN结②IC中的电阻③欧姆接触区④硅栅⑤多晶硅互连线 方法：①热扩散②离子注入③合金 扩散 定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片内的目的。 方法： 按掺杂源 ①固体源扩散：BN,B2O3,Sb2O3,As2O3 ②液态源扩散：B(CH3O)3,POCL3 ③气态源扩散：B2H6,PH3,ASH3 按扩散系统：开管和闭管两大类。 替位式扩散：杂质离子占据硅原子位置： Ⅲ、Ⅴ族元素 高温(950~1280℃)下进行，横向扩散严重。 对设备要求较低。 磷、硼、砷等在SiO2中的D均远小于在硅中D，可用氧化层作掩蔽层。 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数比替位式扩散大6~7个量级 （绝对不许用手摸硅片—防止Na+沾污） N衬底掺III价，原先N衬底电子浓度变小，或N衬底变P型； N衬底掺Ⅴ价，提高衬底表面杂质浓度。 P衬底掺Ⅴ价，原先P衬底空穴浓度变低，或P衬底变N型; P衬底掺III价，提高P衬底表面浓度。 掺杂:热扩散法和离子注入 由光刻工艺为掺杂确定掺杂的区域，在需要掺杂处(掺杂窗口) 裸露出硅衬底，非掺杂区用SiO2或SiN屏蔽。 离子注入常用SiO2 、光刻胶或这两层材料同时作掺杂屏蔽。 热扩散掺杂利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。 热扩散通常分两个步骤：预淀积和再分布。 预淀积:高温下，利用杂质源B,P，对硅片的掺杂窗口扩散，在窗口处形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层,恒定表面源扩散。 再分布:利用预淀积所形成的表面杂质层做杂质源，在高温下将这层杂质向硅体内扩散的过程。通常再分布时间长，再分布可在硅衬底上形成一定的杂质分布和结深。限定表面源扩散。 3.1 扩散机构 3.1.1 间隙式扩散 ①定义—重金属杂质Ni,Fe,Cu,Ag,Au在晶格间的间隙中运动(扩散) ②势垒—间隙位置的势能相对极小，相邻两间隙之间是势能极大位置，必须越过一个势垒Wi。 ∵ f(Wi)∝exp(-Wi/kT) —玻尔兹曼统计分布 ∴单位时间越过Wi的跃迁几率Pi=ν0 exp(-Wi/kT), ν0–热振动频率 ③杂质—r较小的原子，如H。 3.1 扩散机构 3.1.2 替位(代位)式扩散 ①定义--杂质原子从一个晶格点替位位置运动到另一个替位位置。 前提--邻近格点有空位 ②势垒--与间隙式相反，势能极小在晶格位置，间隙处是势能极大位置，必须越过一个势垒Ws。 跃迁几率Pv=ν0 exp[-(Wv+Ws)/kT], Wv-形成空位所需的能量 III-V 族，r大，替位式，慢扩散， 不改变晶体结构 金属杂质，r小，间隙式，快扩散(105-106)复合中心 3.2 扩散系数与扩散方程 扩散本质：微观粒子无规则热运动的统计结果 扩散规律：高浓度向低浓度扩散 扩散条件：温度，浓度梯度 3.2.1 菲克第一定律 J(x,t)=-D· D—扩散系数(cm2/s)， —浓度梯度 “-”从高浓度向低浓度扩散 J—扩散流密度：单位时间内通过单位面积的杂质数。 3.2 扩散系数与扩散方程 3.2.2 扩散系数 D=D0 exp(-ΔE/kT) D0—表观扩散系数，既1/kT→ 0时的扩散系数 ΔE—激活能；间隙扩散：ΔE = Wi， 替位扩散：ΔE = Ws+ Wv D是描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。 3.2 扩散系数与扩散方程 D0、ΔE、T决定D ( D=D0 exp(-ΔE/