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- | 2005-08-03 颁布
- | 2006-04-01 实施
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GBT 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分 半导体设备保护用熔断体的补充要求
ICS29.120.50
K 31 药黯
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
GB/T 13539.4-2005/IEC60269-4:1986
代替GB13539.4-1992
低压熔断器 第4部分:
半导体设备保护用熔断体的补充要求
Low-voltagefuses-Part4,Supplementaryrequirementsforfuse-linksfor
theprotectionofsemiconductordevices
IEC60269-4:1986,IDT)
2005-08-03发布 2006-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布
中 国 国家 标 准 化 管 理 委 员 会
GBJT 13539.4-20051IEC 60269-4:1986
目 次
前言 甲-····‘········,········,····。·········甲,·一 皿
1 总则 ···················,·,,····。··························,······················,,,·························,·…,… 1
2定义 ··················································,,······················································……1
3 正常工作条件 ··············,···························,······················································……2
5 熔断体特性 ·················,···················································································…… 2
6 标志 ‘····················,,,,··‘·····················…… 5
7设计的标准条件····························,····························……5
8 试验 ·······,,,,,,,··········· ······,···,,,,,,,············,,,,·····,····· ····,···,,,,,,,,·6
附录A(规范性附录)熔断体和半导体设备的配合导则·······················,····················……,…16
附录B(资料性附录) 制造厂应在产品使用说明书中列出的半导体设备保护用熔断体的资料 ·一 20
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GB/T 13539.4-2005/IEC60269-4:1986
前 言
《低压熔断器》是系列标准,目前包括以下7个部分:
GB13539.1-2002 ((低压熔断器 第 1部分:基本要求》(idtIEC60269-1:1998)
GB/T13539.2-2002 《低压熔断器 第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工
业的熔断器)))(idtIEC6026
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