10、测试与验收-国家实验研究院.DOC

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 目錄 頁次 一、 說明： 3 二、 設備明細： 3 三、 硬體規格 4 四、 設備性能 8 五、 製程規格與驗收項目 8 六、 廠務設施 12 七、 安全規範 12 八、 交付使用者文件 13 九、 廠商規範與報價 13 十、 測試與驗收 14 十一、 保固 14 十二、 維修及技術支援： 14 十三、 付款條件與相關規定 15 十四、規範書釋疑聯絡人1 安全原則與規範細項 16 表格一、 90Nm淺溝槽絕緣蝕刻(STI Etch)製程驗收規格 9 表格二、 90nm閘極多晶矽蝕刻(Poly Gate Etch)製程驗收規格 11 表格三、 90nm 接觸窗蝕刻(Contact Etch)製程驗收規格 12 說明： 本規範適用於財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室本次採購之八吋蝕刻設備，其為一集結式電漿蝕刻系統之設計、製造、運輸及測試等 2.2.1 尺寸：2.2.2 厚度：225 ~ 750 μm( Basic System )： 機台基本系統至少需具備以下主要模組3節）： 卡匣放置位置 (Cassette Load Port Modules) 至少2組 晶圓傳送腔體 ( Transfer Modules ) 製程腔體 ( Process Chamber ) 2 組，分別為 感應耦合式導體層蝕刻製程腔體(ICP Conductor Etch Chamber) 反應離子式介電層蝕刻製程腔體(RIE Dielectric Etch Chamber) 獨立真空抽氣系統 ( Turbo Pump ) 電力控制箱( Power/ Control Rack ) 機台端氣體盤面( Gas Panel ) 設備操控系統 ( Operation Control System ) 安全連鎖裝置 ( System Interlock ) 2.3 適用蝕刻製程： 2.3.1 感應耦合式導體層蝕刻製程腔體(ICP Conductor Etch Chamber)須可作為90nm邏輯製程蝕刻淺溝渠隔離(STI)與閘極(Gate)等結構之設備，其中蝕刻材料為Si、Poly-Si gate、Metal gate及AlSiCu等。 2.3.2 反應離子式介電層蝕刻製程腔體(RIE Dielectric Etch Chamber)須可作為90nm邏輯製程蝕刻接觸窗(Contact) 雙鑲嵌結構2.4 安全連鎖裝置至少須包含以下範圍：2.4.1 DC電源Power。 2.4.2 真空閥件。 2.4.3 真空壓力差。 2.4.4 冷卻水流量。 2.4.5 溫度過熱保護裝置。 硬體規格 投標廠商使用的部品須符合或優於以下所訂規格： 3.1 卡匣放置位置模組 (Cassette Load Port Modules) ： 3.1.1 卡匣SEMI認證規格尺寸，需可放置200mm 晶圓卡匣。 3.2 晶圓傳送腔體模組 (Transfer Modules) ： 3.2.1 晶圓傳送機械手臂可在真空環境中傳送晶圓，並且不可揚塵。3.2.2 於設備誤動作時，不得傷及手臂本體( Robot Arm )。3.2.3 具備真空計監控腔體真空度。 3.2.4 具備監看視窗( View Port )，可用肉眼監看晶圓傳送動作。 3.2.5 具備晶圓傳送偵測裝置，可偵測掉片及破片。 3.2.6 腔體材質為鋁或不鏽鋼材質。 3.2.7 具備Bellow 密封的真空隔絕閥(Isolation Valve )。 3.2.8 所有真空腔體管件、閥件、壓力及流量整裝置皆需經超潔淨洗淨 (Ultra Clean)。3.2.9 晶圓傳送腔體模組(Transfer Modules)，需有晶圓對準系統。 3.2.10 晶圓傳送腔體模組需有大氣/真空緩衝區(ATM/VTM Buffer Station)。 3.2.11傳送系統驗收部份以傳送穩定性需通過連續傳送5000片以上，並且 無異常發生。 3.3 晶圓蝕刻製程腔體( Process Chamber )： 3.3.1 使用鋁質或不產生微粒的腔體，經過陽極處理材質腔體。 3.3.2感應耦合式導體層蝕刻製程腔體(ICP Conductor Etch Chamber)： 3.3.2.1具備獨立的上電極與下電極的RF 電