可控硅两端并联阻容网络的作用.PDFVIP

1- 1 可控硅两端并联阻容网络的作用 可控硅两端并联阻容网络的作用 在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收 电路。 我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它 表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压 上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信 号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能 发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN 结组成。 在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2 结结面相当于一个电容 C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3 结，这 个电流起了门极触 电流作用。如果晶闸管 关断时，阳极电压上升速度太快， 则C0 的充电电流越大，就有可能造成门极 没有触 信号的情况下，晶闸管误 导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压 上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联 RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为 电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻 尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过 电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损 坏晶闸管。 由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是 不能正常工作的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。 址（ADD）：无锡新区硕放香楠一路9 号 电话（Tel）：0510 网址（Http）：Http://www.cldkj .com 传真（Fax）：0510