快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷-IngentaConnect.PDFVIP

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2017-06-24 发布于天津
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快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷-IngentaConnect.PDF

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快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷-IngentaConnect

· 808 · 硅酸盐学报 2013 年第 41 卷第 6 期硅酸盐学报 Vol. 41 ，No. 6 2 0 1 3 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J u n e ， 2 0 1 3 DOI ：10.7521/j.issn.0454–5648.2013.06.15 快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷 1 2 3 4 杨帅，徐建萍，邓晓冉，陈贵锋 (1. 天津理工大学理学院，天津 300384 ；2. 天津理工大学材料科学与工程学院，天津 300384 ；3. 天津职业技术师范大学理学院，天津 300222 ；4. 河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130) 摘要：利用正电子湮没谱(PAS)及 Fourier 变换红外吸收光谱(FTIR)技术研究了快中子辐照直拉硅(CZSi) 中辐照缺陷。研究发现，经快中子辐照后的硅中会有大量的单空位型缺陷 VO 及多空位型缺陷 V 和 V O ；经 200～450 ℃热处理后，FTIR 光谱中出现的 720 和 919.6 cm–1 红外吸收峰为单空位 2 2 型缺陷，其正电子寿命与 VO 的寿命接近，约为 290 ps ；经 450～600 ℃热处理后，随单空位型缺陷 VO 消失，V4 型缺陷浓度迅速增加，600 ℃热处理后其浓度达到最大(相对浓度约为 70%) 。关键词：直拉硅；正电子湮没；中子辐照；空位型缺陷中图分类号：TN305.2 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2013)06–0808–04 网络出版时间：2013–05–21 16:36:22 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1636.015.html Monovacancy Type Defects in Fast Neutron Irradiated Czochralski Silicon 1 2 3 4 YANG Shuai ，XU Jianping ，DENG Xiaoran ，CHEN Guifeng (1. College of Science, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China; 2. School of Materials Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China; 3. School of Mathematics and Physics, Tianjin University of