EMMIOBIRCH原理及应用.pptVIP

EMMI/OBIRCH的原理及应用 * QRA/FA Zhouhao 半导体器件和电路制造技术飞速发展，器件特征尺寸不断下降，而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。而激光扫描显微技术（IR-OBIRCH: Infra-Red Optical Induced Resistance Change）和光发射显微技术（PEM: Photo Emission Microscope） 作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，因而在器件失效分析中得到广泛应用。它具有迅速（只需通过一次成像就能检查复杂IC的发光）、有通用性（能与测试仪相连）、洁净（不需薄膜）、简单（与探针无相互作用，不会人为产生问题）、灵敏（漏电流可以小至uA量级）等优点。 Abstract Failure Analysis Flow 将宏观的电学测试和微观的结构剖析连接起来 OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别 Outlines OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别 Construction and BASIC-Principle of IR-OBIRCH Bias apply to device using with voltage source or current source. When laser scan, current (or voltage) is changed caused by resistance change with laser heating at the laser beam point. OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别 Principle of Lock-in Detection Method OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别 Case Study of IR-OBIRCH Via Chain Resistance Related Metal Short Related CSMC Real Case Study Fail site detection on complete open fail by PVC Fail site detection on high resistance fail by OBIRCH I_V curve Via1 missing Via1 W missing Via2 W missing Via1 W missing comment FIB image Fail site location L16 Via Open and High Resistance Fail Analysis Case item Why PVC? CSMC Real Case Study Via3 W defect TO bridge Poly bridge Defect between M5 M4 bridge comment Physical analysis 0.13 SRAM Leakage Fail Analysis Case Item B C D E Fault isolation A Sample ID OBIRCH的基本原理 OBIRCH lock-in简介 OBIRCH的应用及实际失效案例分析 EMMI的基本原理 Advanced EMMI (InGaAs)简介 EMMI的应用及实际失效案例分析 OBIRCH与EMMI的区别 Construction of Photo Emission Principle of Photo Emission ◆Type B (broad spectrum from visible to nearly IR) ?Current leakage at reversed biased PN junction ?Micro