转学招生考试电子学试题 - 亚东技术学院研习心得输入系统.PDFVIP

亞東技術學院 98 學年度第一學期日間部暨進修部 轉學招生考試 電子學 試題 注意事項： 一、本試題共有 30 題。每題均須作答， 1~20 題每題三分，21~30 題每題四分， 總分一百分。 二、請於答案卷中作答，否則不予計分。 三、答案卷上請用藍色或黑色筆繕寫，不得使用鉛筆。 四、作答時請先標明題號橫式書寫。 ( )1.電晶体的三種接地方式中，常用在射頻電路的是(A)共射極 (B)共基極 (C)共集極 (D)共閘極。 ( )2.電晶体中對集極電流 IC 大小影響最大的因素為(A)集射極間壓 VCE(B)基極電流 IB (C)集基極間電壓 VCB(D)漏電電流 ICBO 。(正常工作下) 。 ( )3.電晶体三極中雜質濃度最大的是(A)閘極 (B)基極 (C)集極 (D)射極。 ( )4.在正常情況下，JFET 之閘極到源極間均施以何種偏壓來控制？ (A)順逆向均可 (B)順向 (C)逆向 (D)不加電壓。 ( )5.某放大器之輸入電流為 1mA 時，輸出電流為 1A ，則其電流放大率以分貝計算時為多 少分貝？ (A)1 (B)1000 (C)60 (D)40 。 ( )6.(甲)場效電晶体(乙)電阻器(丙)電容器(丁)電晶体，以上屬於主動元件的是 (A) 甲、乙 (B)甲、丙 (C) 甲、丁 (D)丙、丁。 ( )7.某電晶体當 V =10V ，I =100 μA 時，查集極特性曲線得到 I =12mA ，則其β值為多 CE B C 少？ (A)100 (B)120 (C)10 (D)1.2 。 ( )8.在 R-C 耦合之電路中，C 值必須甚大，其原因為 (A)級與級間之直流可順利通過 (B)產生較佳之偏壓穩定 (C)增加高頻響應 (D)防止低頻衰減。 ( )9.主要影響放大器之高頻響應的是 (A)電晶體的極際電容 (B)耦合電容(C)射極接面電容 (D)射極傍路電路。 ( )10.串級放大以下列何種耦合方式應用最廣? (A)直接耦合 (B)變壓器耦合 (C)電感耦合 (D)RC 耦合。 ( )11.溫度上升時，電晶體 (A)Ico 上升 (B) β下降 (C)VBE 上升 (D)以上皆非。 ( )12.CMOS(互補式 MOS)邏輯電路的特點為 (A)交換速率比 TTL 還快 (B)製作容易，價 格低廉 (C)其消耗功率極小 (D)其雜訊免除性在所有邏輯閘中為最佳。 ( )13.下列元件中，哪一種是靠單一種載子來傳送電流的?(A)FET (B)電晶體 (C) SCR (D) 稽納二極體。 ( )14.JFET 之工作原理是控制(A)通道中載子的濃度(B)通道之導電係數(C)流過接面的電流 (D)接面空乏區的厚度。 ( )15.在電晶體開關電路中，若論其交換時間，(A)PNP 電晶體較短 (B) NPN 電晶體較短 (C)N-MOSFET 較短 (D)P-MOSFET 較短 第 1 頁，共 2 頁 1  1  ( )16.電晶體的α和β的關係為(A) α= (B) β= (C) β= (D) β= 。  1  1 ( )17. 2SK20 為 (A)BJT (B)JFET (C)SCR (D)UJT 。 ( )18.在實驗室中領到 MOSFET 時，當見到四支腳用一細鐵絲綁在一起，其目的是 (A)避免腳弄斯 (B)避免被人拿去偷用 (C)避免因靜電而遭破壞(D)增加美觀。 ( )19. N 型半導体係在純質半導体內摻入極少量的幾價元表？ (A)三價