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物理学和高新技术 !# 基蓝光半导体激光器的发展! ! 陈良惠 叶晓军 种 明 （中国科学院半导体研究所 北京 #$$$% ） 摘 要 文章介绍了下一代光存储用半导体激光器———’() 蓝光激光器的发展状况* 对衬底材料的发展现状、 外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述* 阐明了’() 激光器的一些技术路线，如’() 同质生长衬底 的发展，侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等* 另外还介绍了’() 半导体激光器数字多功能光盘（+,+ ） 的实用化进程* 关键词 ’() ，蓝光激光器，侧向外延生长，光存储，数字多功能光盘（+,+ ） !$$%’ (%)*%+, -.,+ -$, $.,* +%/+,. ! -./) 01(234.51 6/ 71(84952 -.:)’ ;123 （!#$%$$’ () *’+%,(-,$(.# ，/0%’#’ 1,2-’+3 () *,%’,’# ，4’%5 %6 #$$$% ，/0%2 ） 0-.)*1)2 2 = ?@A8BC2D 8E ’() FA5 A(GH ?18?G ，D8 F 5G? 12 D= 2ID 32H(D182 8E 8BD1J(A GD8H(3 GKGDCG 1G ?GJH1F?* = G5FGDH(DG ，B1D(I1(A DJ=28A83K (2? BH8JGGG 12@8A@? 12 D= C(25E(JD5H 8E A(GH ?14 8? (H ?1GJ5GG? ，L1D= CB=(G1G 82 D= =8C8B1D(I1(A G5FGDH(D ，B1D(I1(A A(DH(A 8@H3H8LD= (2? LD DJ=123* = BH(JD1J(A H(A1(MD182 8E ’() 8BD1J(A HJ8H?123 GKGDCG 1G (AG8 ?GJH1F?* 3,4 5/*+.2 2 ’() ，FA5 A(GH ?18? ，/0:’ ，8BD1J(A GD8H(3 ，+,+ # 引言 N 光存储用激光光源的发展 ’() 系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三 早期的光盘光源用的是氦氖气体激光器，由于 ’() 基蓝、绿光发光二极管已技术成 其体积大、工作电压高和能量转换效率低等缺点，很 代半导体材料， 熟并投放市场，在光显示上的应用已使颜色逼真的 快被具有全面优异特性的半导体激光器所取代* 全色显示屏发出绚丽的光彩* 光存储与光通信是目 #VW$ 年，前苏联的OAEH8@ 和美国的.(K(G=1 等 前半导体激光器的最主要应用* 对光盘而言，因为记 人成功地实现了OA’(OGX ’(OG 双异质结激光器的 录和再生的可能的容量与光源波长的N 次方成反 室温连续激射，从此开辟了半导体激光器实用化的 比，因而要实现光存储的高密度化，激光光源的短波 新时期* 其后，为了提高器件性能，发展了条型半导 化是很必要的* 为此，更宽禁带的各种半导体材料的 体激光器，使注入电流受到限制而条型区形成增益 研究以及用这些材料进行更短波长半导体激光器的 区，即激射模式稳定的增益波导结构* 但这种增益波 开发都取得很大的进展* 导结构在结平行方向不具有光限制所需的折射率分 在光盘（J8CB(JD ?1GJ ，-+ ）中用了’(OAOG 系红 布* 其后几年，人们