第01章常用半导体器件.pptVIP

§1.1 半导体基础知识 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 总结： 放大区—IC平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距。 (1) 发射结正偏，集电结反偏，电压Ube大于0.7V左右(硅管) 。 (2) Ic=?Ib,即Ic主要受Ib的控制。 (3) ?≈ 判断三极管工作状态的依据： 饱和区: 发射结正偏，集电结正偏 截止区： 发射结反偏，集电结反偏 或： Ube?0.5V（Si) Ube?0.2V（Ge) 例：某电路中的三极管各级电位如图所示， 试判断它工作在哪个区域？ B E C +5V 0V +0.7V +10V +5V +3V E B C +5.4V +5V +5.7V B E C 1.3.4 晶体管的主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作