实验二 晶体管特性的测量概念.docVIP

实验二 晶体管特性的测量与晶体管的测试 一、实验目的 了解晶体管图示仪的基本原理和晶体管的引脚及类型判别 掌握用晶体管图示仪测量晶体管特性曲线的方法 掌握运用特性曲线求晶体管特性参数的方法 二、实验内容 测试2AP11正反向特性 ⑴　正向特性 慢慢增大峰值扫描电压，直至ID=10mA，把曲线绘在绘图纸上。 读测IDQ=5mA时的正向压降VDQ，计算直流电阻RD＝VDQ/IDQ、交流电阻rD=△VD/△ID。 ⑵　反向特性 逐渐增大峰值扫描电压至100V，描下反向特性曲线。 读测VR=100V时的反向电流IR以及IR＝20μA时的反向电压VR。 测试2CW19稳压特性 读测稳压值VZQ。 在IEQ=50mA时，求动态电阻R=△VZ/△IZ。 读测IZmin值 测试晶体管共射输入输出特性 (1) 测量3DG12B的共射输出特性 描下输出特性曲线族。 在VCEQ=5V，ICQ=4~6mA求 　， 按下”零电流”开关(或断开基极) I．在VCE =10V时，读出ICEO II．调节峰值电压，使IC=100μA时，读取BVCEO (2)　测量3DG12B的共射输入特性 描下输入特性曲线族。 从输入特性曲线上求输入电阻 测量3AX31的共射输出特性 描下输出特性曲线族。 在VCEQ=5V，ICQ=3~5mA时，求， 按下”零电流”开关(或断开基极) I．在VCE = -6V时，读出ICEO II．调节峰值电压，使IC=1mA时，读取BVCEO 测量3AX31的共射输入特性 描下输入特性曲线族。 从输入特性曲线上求输入电阻 三、实验预习要求 阅读DW4822型晶体管特性图示仪的使用说明和晶体管的引脚区别方法 熟悉晶体管特性及测量原理 列出测量数据表格和注意事项 四、实验报告要求 整理实验数据和画出被测管子各类型特性曲线 从实验结果分析硅管与锗管的异同之处 附表： 　 　　　型 号 　　　 特 性 旋钮位置 3DG12B 3AX31B 输出 输入 输出 输入 扫描极行 + + - - 峰值电压 50V 50V 50V 50V 功耗电阻 1K~5K 1K~5K 1K~5K 1K~5K 电压/度 Vce1V Vbe 0.1V Vce1V Vbe 0.1V 电流/度 1mA 1mA 1mA 1mA 阶梯作用 重复 重复 重复 重复 阶梯极性 + + - - 电压-电流/级 10μA~20μA` 0.5V 10μA`20μA` 0.5V 正相/反相 正相 正相 反相 反相 测试接线图 同右 C B E 同右 C B E 调零步骤：先将Y轴偏转放大器置于“基极源信号”一档，X偏转放大器VC的任意档级，“阶梯作用”置于“重复”，阶梯幅度/级，置于电压/级的任何一档级，调压器调到零。使示波管荧光屏上显示一族阶梯电压，调节阶梯调零使阶梯第一个光点与Y轴偏转放大器校正按“零点”时的光点重合。 五、实验记录及结论 1、3DG12B的输入与输出特性曲线3AX31B的输入与输出特性曲线 3、两者各自的特征与区别 六、晶体管的测试 （1）、晶体二极管的测试： 普通二极管的测试： 正向电阻小 反向电阻大 万用表置R1K档，用红、黑表笔分别与二极管的两个电极相接，测量它的正、反向电阻值，两者相差越大越好，即正向电阻小，反向电阻大。如果正、反向电阻均为，说明二极管内部断线开路；如果正、反向电阻均为0，则为二极管两电极击穿短路。 常见的普通二极管用R1K档测得的正常电阻值如下： 类型 正向电阻 反向电阻 锗管 几百~几千欧 100K以上 硅管 几百~几千欧 判断极性： 万用表置于R1K档或R100K档，红、黑表笔分别接触二极管的两端，以测得的电阻值小（正向运用）的那次为准，则黑表笔接触的那端为正极，红表笔所接的为负极。 判断锗、硅管： 将万用表拨在R100或R1K档，测量二极管的正向导通电阻，根据表头指针的偏转角度来判别。如果指针指示在中间或中间偏右的位置，表明被测管是硅二极管；如果指针偏到满刻度的80%左右（即靠近0的位置），表明该管是锗二极管。 注： = I）如果=50% 则=（1-50%）1.5=0.75（V） II）如果=80% 则=（1-80%）1.5=0.3（V） 测试稳定电压VZ 如果稳压二极管的稳定电压VZ9V，可用万用表来测量，方法如下：（以500型万用表为例） 万用表置于R10K档，红表笔接正极，黑表笔接负极，读出偏转格数n格，则稳压值VZ= （E=9V） （2）晶体三极管的测试： 晶体三极管可分为PNP型和NPN型两大类，电路符号如下： 三极管极性的判断： ①先找出基极（b）: 用万用