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2017-06-26 发布于天津
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BT169D EK 详细参数请见PDF资料.pdf

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Philips Semiconductors Product specification 查询BT169D供应商 Thyristor BT169W Series logic level GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Glass passivated, sensitive gate SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. MAX. MAX. UNIT thyristor in a plastic envelope, suitable for surface mounting, intended for use BT169 BW DW EW GW in general purpose switching and VDRM, Repetitive peak 200 400 500 600 V phase control applications. This VRRM off-state voltages device is intended to be interfaced IT(AV) Average on-state 0.5 0.5 0.5 0.5 A directly to microcontrollers, logic current integrated circuits and other low IT(RMS) RMS on-state current 0.8 0.8 0.8 0.8 A power gate trigger circuits. ITSM Non-repetitive peak 8 8 8 8 A on-state current PINNING - SOT223 PIN CONFIGURATION SYMBOL PIN DESCRIPTION 4 1 cathode a k 2 anode 3 gate tab anode 1 2 3 g LIMITING VALUES Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). SYMBOL