2纯金属的结晶技术总结.pptx

第二章 纯金属的结晶;第二章 纯金属的结晶;金属的实际结晶温度与理论结晶温度之差称为过冷度 (ΔT )。 ΔT = Tm － Tn;纯度越高，过冷度越大； 其它条件相同时，冷却速度越快，过冷度也越大。当冷却速度达到106 oC/s以上时，液态金属来不及结晶就固化下来，这样形成的固体称为金属玻璃，是一种非晶态材料。;结晶潜热＞环境散热→温度上升→局部区域出现重熔现象。因此结晶潜热的释放和重熔，是影响结晶的重要因素。 ; 无论金属还是非金属，在结晶时都遵循相同的规律，即结晶过程是形核和长大的过程。 ;熔体过冷 形核→ 晶核长大 →未转变液体部分形核→ 晶核长大 →相邻晶体互相接触 →液体全部转变。;问题： 为什么金属不能在理论结晶温度结晶，而需要过冷？;金属各相Gibbs自由能G可表示为： G = H –TS＝Ｕ＋pV－TS， H：焓，Ｕ：内能，ｐ：压力，Ｖ：体积，T：温度，S：熵。 dG＝dU＋pdV＋Vdp－TdS－SdT 而　dU＝TdS-pdV (热力学第一定律) 因此：dG = TdS－pdV＋ pdV＋ Vdp－TdS－SdT ＝ Vdp – SdT 对于金属凝固过程，dp＝0 因此：dG/dT = -S;dG/dT = -S 熵S表征系统中原子排列混乱程度的参量，S恒大于零。 固相原子排列有序；因此： Ss SL │( dG/dT )s││( dG/dT )L│;过冷度DT与结晶驱动力 — 单位体积自由能的变化DGv有何关系？ DGv =Gs - GL = -(HL-HS)-T(Ss-SL) HL-HS=DHf 0， DHf 为相变潜热，T＝Tm时，DGv =0，因此有： DHf = -TmDS， DS = -DHf /Tm T Tm时，DS变化很小，可视为常数，因此液固两相Gibbs自由能差DGv为： 　　DGv= -DHf -TDS= -DHf+TDHf /Tm= -DHf DT/Tm;金属的结晶是晶核的形成和长大的过程，而晶核是由晶胚生成的，那么，晶胚又是什么呢？它是怎样转变成晶核的？这些问题都涉及到液态金属的结构条件，因此，了解液态金属的结构，对深入理解结晶时的形核和长大过程十分重要。;液体的原子排列： 短程有序，长程无序。 短程有序集团不断出现和消失，处于变化之中。 这些瞬间出现、消失的有序集团称为结构起伏或相起伏。;; 前面谈到了结晶的热力学条件和结构条件。但事实上，许多过冷液体并不立即发生凝固结晶。如液态高纯Sn过冷5~20oC时，经很长时间还不会凝固。说明凝固过程还存在某种障碍。;母相中形成等于或超过一定临界尺寸的新相晶核的过程称为形核。液体金属中形核有均匀形核和非均匀形核两种方式。; ;非均匀形核;2.4 晶核的长大 ;2.4.2 界面结构;界面的微观结构不同，其接纳液相中迁移过来的原子的能力也不同，因此晶体长大时将有不同机制。;二维晶核长大机制 （光滑界面、长大速度慢） 螺型位错长大机制 （光滑界面，长大速度较快） 连续或垂直长大机制（粗糙界面，长大速度快，大部分金属晶体以此方式长大。）;; 结晶潜热只能通过已结晶的固相和型壁散失，相界面向液相中的推移速度受其散热速率的控制。;光滑界面的晶体，显微界面是某一晶体学密排面。一般而言，密排面界面能小，但生长速度慢。原子密度小的晶面，其长大速度较大，最后非密排面将逐渐缩小而消失，晶体的界面将完全变为密排晶面，这种情况有利于形成具有规则形状的晶体。;2）粗糙界面的情况; ;负温度梯度下固液界面不可能保持平面形式生长，即使开始形成的晶核是一平面或多面体，也是不稳定的。; 每个枝晶发展为一个晶粒。;;2.4.7 晶核长大要点;2.4.7 晶核长大要点;一般的测定方法是在放大100倍下观察后和标准的进行对比评级，1—8级(有更高的)，级别高的晶粒细。级别的定义为在放大100倍下，每平方英寸内1个晶粒时为一级，数量增加 倍提高一级。; 表层细晶区 柱状晶区 中心等轴晶区;晶粒极细，取向随机致密，一般都很薄，实际意义不大。;垂直于模壁方向定向生长，晶粒粗大。 柱晶生长方向为一次晶轴方向，立方晶系为100。;铸型和结晶体的导热性能。导热能力越好，形成越有利。 浇注温度与浇注速度。浇注温度越高，浇注速度越快，温度梯度越大，柱状晶形成越有利。浇注温度高于一定值是可以得到完全的柱状晶。 熔化温度。熔化温度越高，熔体过热度越大，非金属夹杂物溶解越多，非均匀形核核心越少，减少了柱晶前沿形核的可能性，有利于柱状晶的发展。;柱晶区取向一致，性能呈各向异性。又称结晶织构或铸造织构。 例1：磁性铁合金凝固时柱状晶的取