多步扩散制备太阳电池pn结工艺研究.pdfVIP

第36卷 第 1期 太 阳 能 学 报 Vo1．36．No．1 2015年 1月 ACTAENERGIAESOLARISSINICA Jan．，2015 文章编号 ：0254．0096(2015)01—0102—06 多步扩散制备太阳电池pn结工艺的研究 贾洁静，党继东，辛国军，徐义胜，王永伟， 费正洪，孟祥熙，王栩生，章灵军 (苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，苏州 215129) 摘 要 ：在制备晶体硅太阳电池pn结的扩散工序中，工艺设计对硅片中磷浓度的分布起重要作用进而会影响电池 电性能，通过实验研究 ，优化得出多步扩散工艺。结果显示，采用多步扩散方法可减少死层 、增加电活性磷掺杂量， 并能通过适当调整第二次恒定源扩散工艺参数实现对填充因子的独立控制。与常规的两步扩散工艺相比，新工艺 制备的太阳电池开路电压 升高6mV，填充因子 得到明显改善，光电转换效率稍 0．4％的绝对提升，使组件 输出效率CTM相应提高0．97％。 关键词 ：硅太阳电池 ；多步扩散 ；pn结 ；第二次恒定源扩散；死层 中图分类号：TK51 文献标识码 ：A 0 引 言 1 实验过程 提高太阳电池的光电转换效率一直是光伏研 样 品选取同批次的100晶向P型直拉单晶硅 究的首要方向。而扩散制 pn结是制备太阳电池的 片，其型号尺寸为 12．5emX12．5cm，厚度为 200Ixm， 关键步骤，它决定了硅片的表面浓度 、结深和有效 电阻率约为 2Q c·m。 掺杂量n]，是影响电池 电性能的重要因素之一 。 样品首先经过腐蚀清洗 ，以去除表面玷污与机 目前，制备太阳电池 pn结的常规方法为先恒 械损伤层，并形成陷光结构 。然后将样片分组 ，结 定源扩散再限定源扩散 的两步磷扩散工艺。该模 合不同扩散工艺用 Tempress扩散炉进行扩散后，采 式所形成的磷杂质分布特征为 ：横向电阻一定时， 用型号为 280SI的4D测试仪测量方块 电阻。在不 表面掺杂浓度与体掺杂量反相关。由此产生的直 同组别中分别抽取样片，先去除表面磷硅玻璃层 ， 接后果是对填充因子和开路 电压的优化会相互制 再 用 Nanometrics电化 学微分 电容 电压测 试仪 约，使对通过调整掺杂量改善电池片整体 电性能的 (ECV)或 型号为 Cameca4F的二次离子质谱仪 研究遇到瓶颈。另外 ，在相关研究及应用中，通常 (SIMS)测出样片的杂质分布曲线；其余硅片可按常 以方块 电阻的大小作为衡量扩散程度 的标准口]，但 规的硅太阳电池后序工艺流程制成电池片，最后采 方块 电阻无法完全反映杂质的分布 ，因此 ，对于扩 用 型号为 SCLoad的Berger测试机测量 出其 ，_ 散工艺与电池电性能间直接关系的研究较少。 性能。 相对于传统的两步扩散方式，多步扩散是指通 过增加通源次数 ，使扩散步骤多于两步的扩散方 2 实验结果分析 法 。本文通过研究扩散工艺中主要工艺因素对掺 2．1 主要工艺参数与步骤的影响 杂分布的影响，尝试探索初始扩散条件与最终所得 电池片性能参数间的关系，设计并优化得出最佳的 扩散工艺中，温度、气体流量 以及步骤设计对 多步扩散工艺。该工艺可独立控制表面掺杂浓度 掺杂分布具有