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AlN-SiCw复合材料在1200～1400℃的氧化-武汉理工大学学报
19 4 武 汉 工 业 大 学 学 报 Vol. 19 No.4
1997 12 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Dec. 1997
- w
AlN SiC
裴新美 武七德 熊家国
( ) ( )
: 研究了热压A lN-SiC 复合材料在 1200 ～1400 ℃的氧化行为, 分析了晶须掺量对复合材料氧化产物、氧
w
化过程的影 。结果表明, 复合材料的氧化产物为Al O 、Mullite、铝硅酸盐玻璃相。在1200 ～1400 ℃范围内, 复合
2 3
材料的氧化符合抛物线规律。晶须掺量的变化对复合材料的氧化并无显著影 。
: AlN; SiC; 晶须; 复合材料; 氧化
: T 050.421
AlN
[1]
; AlN SiC (SiCw )
[ 2] [ 3]
, ,AlN
SiC SiO , SiC
2 w
, SiO ,
2
AlN-SiC
w
1
1. 1
AlN , 5 Lm;B-SiC AM I , 0.52. 0 Lm,
w
50, , ,
1850 , 20 M Pa , 1h N N SiC 20% 40%,
1 2 w
Y O
2 3
1.2
, ,
XRD , SEM , EPM A ( )
Al Si
2
2. 1
[ 3]
SiC -AlN ,
w
:
12AlN+ 4SiC+ 15O = 2( 3Al O 2SiO ) + 4CO + 6N ( 1)
2 2 3 2 2
, 2 mol SiC 6 mol AlN 1mol ( A S )
w 3 2
N N , SiCAlN SiO
1 2 2
[ 4]
Al O , Al O -SiO Al O -SiO
2 3 2 3 2 2 3 2
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