LED蓝宝石基板蓝宝石(Al2O3，英文名为Sapphire)为制成氮化镓.PDF

LED藍寶石基板 藍寶石 (Al2O3 ，英文名為Sapphire)為製成氮化鎵(GaN磊晶) 發光層的主要 基板材質， GaN可用來製作超高亮度藍光、綠光、藍綠光、白光 LED 。1993 年日亞化 (Nichia) 開發出以氮化鎵 (GaN)為材質的藍光 LED ，配合MOVPE(有機金屬氣相磊晶法的磊) 晶技術，可製造出高亮度的藍光 LED 。 藍寶石的組成為氧化鋁(A12O3)是由三個氧原子和兩個鋁原子以 共價鍵型式結合， 晶體 結構為六方晶格結構，藍寶石的光學穿透帶很寬，從近紫外光(190nm)到中紅外 線都有很好的透光性，並且具備高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、熔點高(20452 度 C) 等特點，常作為光電元件材料。就超高亮度白藍光/ LED品質取決於氮化鎵磊 晶 (GaN)的材料品質，因此與所採用的藍寶石基板表面加工品質有關，藍寶石 單晶( A12O3)C面與 III-V和 II-VI 族沈積薄膜之間的晶格常數 失配率小，同時符合GaN 磊晶製程耐高溫的要求，因此藍寶石基板成為製作白藍/ /綠光LED的關鍵材料。 藍光 LED晶粒的長晶材料的藍寶石基板是由藍寶石晶棒切割而成，藍寶石晶棒是將 氧化鋁 (Al2O3)的單晶作為長晶的基礎，採拉晶法培育生長，培育方法因各家廠商參 數不同而有不同純度。 藍寶石長晶技術尚未統一，關鍵技術多由美國、日本、俄羅斯廠商所掌握，其中美 國、日本對長晶技術有所保留，以至於其他國家難取得關鍵技術，因此台灣廠商技 術主要來自於俄羅斯。現以柴氏拉晶法 (CZ)和凱氏長晶法(KY)為主流技術，其中最 成熟也最主流KY 法，其鑽取率可達40-42% ，就28 公斤晶柱而言，長晶所需花費 時間約 10 天，而65 公斤的則需要12-14 天，大公斤的晶柱所需花的時間不會高出 太多，但有良率難控制的問題。 國家 藍寶石長晶技術 美國 Rubicon 採ES2 技術。 Crystal Systems 採熱交換器長晶法(HEM) 。 (Crystal Systems已被 GT Solar被購) 。 日本 柴氏拉晶法(CZ) 、導模法(EFG) 。 俄羅斯凱氏長晶法 (KY) 。 藍寶石晶體常用生長方法： 1.柴氏拉晶法簡稱( CZ 法) ：是將原料加熱至熔點後熔化成熔湯，再利用單晶晶體接 觸熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面 上因溫度差異而形成過冷，因此熔湯開始在 晶種表面凝固並生長和晶種相同晶體結構的單晶，晶種同時以緩慢的速度往上拉升， 並以一定的轉速旋轉，熔湯逐漸凝固於晶種液固界面上，形成一軸對稱的單晶晶錠。 2.凱氏長晶法 簡稱( KY 法) ：原與CZ 法類似，將原料加熱至熔點後熔化成熔湯，再 以單晶之晶種接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上開始生長和晶種相同晶 1 體結構的單晶，晶種以緩慢的速度往上拉升，但在晶種往上拉形成晶頸後，等熔湯 與晶種界面的凝固速度穩定後，晶種即不再拉升，也不做旋轉，僅控制冷卻速度使 單晶從上方逐漸往下凝固，凝固為 一整個單晶晶錠。 細分藍寶石基板： 1.C-Plane藍寶石基板：為最普遍使用的，主要為藍寶石晶體沿 C軸生長的技術成熟、 成本也較低、物化性能穩定，所以C面進行磊晶技術較成熟穩定。 2.R-Plane或 M-Plane藍寶石基板：主要用來生長非極性 / 半極性面GaN外延薄膜， 以提高發光效率。一般藍寶石基板製作外延膜是沿C軸生長，C軸是 GaN的極性軸， 會使 GaN有源層量子阱中出現很強的內建電場，導致發光效率降低，非極性面 GaN 外延薄膜，可以克服這問題。 3.圖案化藍寶石基板 簡稱( PSS) ：以成長或蝕刻 方式在藍寶石基板上設計製作出奈米 級特定規則的微結構圖案藉以控制 LED 之輸出光形式，並可同時減少生長在藍寶石 基板上的GaN 之間的差排缺陷，改善磊晶質量，並提升 LED內部質量效率，增加 光萃取率。 藍光 LED磊晶長晶可採用藍寶石 (Sapphire)與碳化矽(SiC)作為基板材質，因為碳化 矽基板單價高，因此在氮化鎵