多晶硅的ECR等离子体刻蚀.PDF

维普资讯 第25卷 第 1期 武 汉 化 工 学 院 学 报 Vo1．25 No．1 2003年3月 J． Wuhan Inst． Chem． Tech． M ar． 2003 文章编 号 ：1004-4736(2003)01—0064—05 多晶硅的ECR等离子体刻蚀 陈永生，汪建华 (武汉化工学院等离子体化学与新材料重点实验室，湖北 武汉 430073) 摘 要 ：报道了用 CF．作工作气体的ECR刻蚀 poly—Si技术 ，研究 了微波功率、气体流量 、气压 和射频偏置功 率对刻蚀速率的影响 ，并对实验结果进行了讨论 ．实验中微波等离子体功率范围在10O～500W ，CF．气体流量 在1O～50cm ／min(标准状态下)范围，气压在0．25～2．5Pa范围，射频偏置功率在0～300W 范围 ，对应的刻 蚀速率为10．4～46．2nm／min． 关键词 ：电子 回旋共振 ；刻蚀 ；多晶硅 中图分类号：TN305．7 文献标识码 ：A (内径)×200mm．基片到窗 口的距离为400mm． O 引 言 磁场 由两组线 圈产生 (上组线 圈电流 I一3A；下 在超大规模集成 电路 (VLSI)和微 电子机械 组线圈 电流 I一4A)．基 片 台与真空室及地之 间 系统 (MEMS)的制造过程 中，多晶硅刻蚀是一关 绝缘 ，其上 的射频偏置源频率为 13．56MHz，功率 键性技术 ．随着加工 图形线条宽度 的不断微细化 ， 为O～400W ． 低气压 、高密度等离子体 (如 ：ECR[】]、ICP[2]、螺旋 微波 波等离子体[3等)被广泛采用．与传统 的容性耦合 窗H 射频放 电等离子体相 比，ECR具有气压低 、无 内 气路 1 磁场线圈 电极放 电、高电离率和分子离解率、高各 向异性度 不锈钢壁 等特点，当增添射频偏置功率源 时，离子密度和离 子能量可分别控制[4]，使刻蚀选择性 、各 向异性等 气路 2 得到大大提高．ECR技术及低气压感应射频等离 抽气 子体技术被认为是最有希望 的先进刻蚀技术． 蟮" 台 目前研究 CF4等离子体对 Si刻蚀 的文章很 射频偏 源 多[5q]，但大多侧重于机理 的探讨如 ：氟碳聚合物 层对刻蚀 的影 响、C 粒子在刻蚀过程 中的作用 等 ，很少对刻蚀工艺进行全面 的研究．在本文 中着 暑 0 重报道 了用 CF作为工作气体 的poly—Si的ECR ＼ 刻蚀工艺 ，研究了微波能量 、气体流量 、气压 、射频 偏置功率等对刻蚀速率 的影 响；并结合相关理论 遥 对刻蚀结果进行 了探讨． 1 实验装置 (b) 图1 EC