第02章逻辑门电路v4.pptVIP

OC门负载电阻R的选取 例：假设有n个OC门并接在一起，其输出推动m个TTL与非门，试 计算负载电阻R的取值范围。 (1) 计算Rlmax 当所有OC门均为截止态时， 并接输出高电平： 若使： 则： (2) 计算Rlmin 当有一个OC门输出低电平时， 并接输出低电平，流入电流： 若使： 则： 2.5.2 三态输出门 TTL逻辑门 输出端始终有信号 高电平：3.6V 低电平：0.3V 总线结构 TTL与非门 在数字系统中，广泛采用总线结构。 数据总线 子系统 部件 模块 2.5.2 三态输出门 三态门的输出有三种状态 逻辑0 逻辑1 高电阻状态 (禁止态) 三态门的用途 实现总线的分时使用 实现数据双向传输 2.5.2 三态输出门 使能端EN＝1 实现与非功能 使能端EN＝0 输出呈高阻 F A B ? E 三态门 应用举例 试写出下列门电路的逻辑表达式。 (a)OC门电路 (b)三态门电路 ⑴ 所用的电源电压应该在指定范围内工作，74系列电路的VCC=4.75—5.25V ⑵ 除集电极开路门（简称OC门）和三态门外，多个TTL电路的输出端不能直接相连。所有TTL电路的输出端也不允许直接接电源或接地。 TTL电路使用中注意的问题 ⑶ 为避免干扰，不使用的输入端应该根据逻辑功能的要求接低电平或接高电平。 对于LSTTL，接低电平可经过一个小于300Ω电阻接地，或直接接地；接高电平可经过一个小于10KΩ的电阻接电源或直接接电源。在驱动电路中允许情况下，也可和已使用端并联使用（对于与非门，输入并联一般不会加重负载，其它门将根据内部电路情况确定） 。 TTL电路使用中注意的问题 NMOS管结构示意图 MOS管的动态特性 MOS管的电容效应 在数字电路中，MOS管的动态特性，即开关速度受这些电容充、放电过程的制约。 MOS管导通电阻比晶体三极管的饱和导通电阻要大得多，RD也比RC大，所以它的开通和关闭时间，也比晶体管长，动态特性较差。 2.7 CMOS逻辑门电路 MOS管的开关特性 MOS单管反相器 输入和输出波形 2.7 CMOS逻辑门电路 工作原理： 1. 输入为低电平VIL = 0V时 VGS1＜VT1 T1管截止； |VGS2| ＞VT2 电路中电流近似为零（忽略T1的截止漏电流）,VDD主要降落在T1上，输出为高电平VOH≈VDD T2导通 2. 输入为高电平VIH = VDD时 T1导通T2截止，VDD主要降在T2上， 输出为低电平VOL≈0V。 ? 电路实现逻辑“非”功能 2.7 CMOS逻辑门电路 CMOS与非门 CMOS与非门 通过驱动管(NMOS管)串联， 实现“与”功能. 当A和B为高电平时 输出低电平 当A和B有一个或一个以上为低电平时 输出高电平 ? 电路实现“与非”逻辑功能 CMOS或非门 CMOS或非门 通过驱动管并联，实现“或”功能。 当A和B为低电平时 输出高电平 当A和B有一个或一个以上为高电平时 输出低电平 ? 电路实现“或非”逻辑功能 漏极开路与非门（OD门） 输出相连实现“线与”功能 CMOS三态门 在CMOS反相器的基础上增加 NMOS管T’1 PMOS管T’2 EN=1, T’1和T’2截止, 禁止态; EN=0, T’1和T’2导通, F=A CMOS传输门（TG） 工作原理： 1. 当控制端C为低电平时， TN和TP截止，传输门相当于开关断开。 2. 当控制端C为高电平时， TN、TP中至少有一只管子导通，使VO=VI，相当于开关接通，传输门传输信息。 由此可见传输门相当于 一个理想的双向开关。 CMOS模拟开关 电路图 逻辑符号 CMOS模拟开关是控制模拟信号传输的 一种电子开关，开关的通断由数字信 号控制。 反相器的作用是为传输门提供两个反 相控制信号。 CMOS电路的优点 功耗小：CMOS门工作时，总是一管导通另一管截止，因而几乎不由电源吸取电流其功耗极小； CMOS电路功耗低内部发热量小，集成度可大大提高； 抗幅射能力强，MOS管是多数载流子工作，射线辐 射对多数载流子浓度影响不大； 电压范围宽：CMOS门电路输出高电平VOH ≈ VDD，低电平VOL ≈ 0V； 输出电流比较大：扇出能力较大，一般可以大于50； 在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好； 2.8 门电路使用中的问题 输出端不能直接接地或电源 多余输入端的处理 TTL门电路输入端接电阻的情况 外接负载问题 TTL与CMOS配合问题 逻辑电平的配合 驱动能力